| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-25页 |
| 1.1 阻变器件发展历程 | 第12-13页 |
| 1.2 阻变器件的非易失性存储应用 | 第13-18页 |
| 1.2.1 非易失性存储器研究背景和意义 | 第14-16页 |
| 1.2.2 阻变器件的非易失性存储应用研究进展 | 第16-18页 |
| 1.3 阻变器件的神经形态应用 | 第18-23页 |
| 1.3.1 神经形态系统研究背景和意义 | 第18-20页 |
| 1.3.2 阻变器件的神经形态应用研究进展 | 第20-23页 |
| 1.4 本章小结 | 第23页 |
| 1.5 本文的主要研究工作 | 第23-25页 |
| 第二章 阻变器件与神经网络基础 | 第25-41页 |
| 2.1 阻变器件基础 | 第25-33页 |
| 2.1.1 阻变器件结构及工艺 | 第25-26页 |
| 2.1.2 导电细丝型阻变器件 | 第26-29页 |
| 2.1.3 势垒型阻变器件 | 第29-30页 |
| 2.1.4 阻变器件与忆阻器模型 | 第30-33页 |
| 2.2 神经网络基础 | 第33-40页 |
| 2.2.1 生物神经元和生物突触 | 第33-34页 |
| 2.2.2 MP神经元模型 | 第34-35页 |
| 2.2.3 神经元实现与神经元晶体管 | 第35-37页 |
| 2.2.4 神经网络的拓扑结构 | 第37-38页 |
| 2.2.5 Hopfield神经网络介绍 | 第38-40页 |
| 2.3 本章小结 | 第40-41页 |
| 第三章 阻变器件的非易失性存储应用研究 | 第41-51页 |
| 3.1 阻变器件的多位存储应用研究 | 第41-45页 |
| 3.1.1 器件结构与I-V特性 | 第41-42页 |
| 3.1.2 扫描方案 | 第42-43页 |
| 3.1.3 电流扫描得到的多个阻态 | 第43-45页 |
| 3.2 阻变器件的总剂量辐照研究 | 第45-50页 |
| 3.2.1 辐照前后的I-V特性 | 第45-46页 |
| 3.2.2 辐照对工作电压的影响 | 第46-47页 |
| 3.2.3 辐照对电阻的影响 | 第47-49页 |
| 3.2.4 辐照前后的保持特性和耐疲劳特性 | 第49-50页 |
| 3.3 本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 阻变器件模拟生物特性研究 | 第51-75页 |
| 4.1 阻变器件模拟多重记忆和瞬态遗忘特性研究 | 第51-56页 |
| 4.1.1 器件结构 | 第51页 |
| 4.1.2 阻变器件模拟多重记忆模型 | 第51-54页 |
| 4.1.3 阻变器件模拟瞬态遗忘特性 | 第54-56页 |
| 4.2 阻变器件模拟遗忘曲线研究 | 第56-60页 |
| 4.2.1 器件结构和I-V特性 | 第57页 |
| 4.2.2 阻变器件模拟遗忘曲线 | 第57-60页 |
| 4.3 阻变器件模拟突触可塑性研究 | 第60-66页 |
| 4.3.1 阻变器件模拟突触长时程增强 | 第61-64页 |
| 4.3.2 阻变器件模拟突触双脉冲易化 | 第64-66页 |
| 4.4 基于阻变器件的突触电路研究 | 第66-73页 |
| 4.4.1 突触电路结构 | 第67-69页 |
| 4.4.2 突触电路仿真模拟突触可塑性 | 第69-70页 |
| 4.4.3 联想学习网络仿真 | 第70-72页 |
| 4.4.4 联想学习与遗忘的网络实现 | 第72-73页 |
| 4.5 本章小结 | 第73-75页 |
| 第五章 基于阻变器件的Hopfield神经网络研究 | 第75-98页 |
| 5.1 基于阻变器件的Hopfield网络的搭建 | 第75-81页 |
| 5.1.1 神经元和突触结构 | 第75-77页 |
| 5.1.2 Hopfield网络结构 | 第77-80页 |
| 5.1.3 Hopfield网络工作过程 | 第80-81页 |
| 5.2 基于阻变器件的Hopfield网络实现联想记忆研究 | 第81-90页 |
| 5.2.1 单目标联想记忆研究 | 第81-87页 |
| 5.2.2 多目标联想记忆研究 | 第87-89页 |
| 5.2.3 功耗研究 | 第89-90页 |
| 5.3 基于阻变器件的Hopfield网络联想记忆时间特性研究 | 第90-97页 |
| 5.3.1 不同目标状态的影响 | 第90-92页 |
| 5.3.2 不同初始状态的影响 | 第92-93页 |
| 5.3.3 控制信号频率的影响 | 第93-97页 |
| 5.4 本章小结 | 第97-98页 |
| 第六章 神经元晶体管探索 | 第98-108页 |
| 6.1 基于IGZO的神经元薄膜晶体管研究 | 第98-105页 |
| 6.1.1 器件结构 | 第98-99页 |
| 6.1.2 结果与讨论 | 第99-105页 |
| 6.2 基于MoS2的神经元薄膜晶体管研究 | 第105-107页 |
| 6.2.1 器件结构 | 第105页 |
| 6.2.2 结果与讨论 | 第105-107页 |
| 6.3 本章小结 | 第107-108页 |
| 第七章 全文总结与展望 | 第108-111页 |
| 7.1 全文总结 | 第108-110页 |
| 7.2 后续工作展望 | 第110-111页 |
| 致谢 | 第111-112页 |
| 参考文献 | 第112-126页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第126-129页 |
