绝缘基底PTCDI-C5薄膜生长机理及表征方法研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-25页 |
| 1.1 有机半导体材料概述 | 第9-10页 |
| 1.2 常用绝缘基底概述 | 第10-13页 |
| 1.3 有机薄膜制备方法简介 | 第13-15页 |
| 1.3.1 真空镀膜法 | 第13-15页 |
| 1.3.2 溶液镀膜法 | 第15页 |
| 1.4 有机薄膜表征技术简介 | 第15-22页 |
| 1.4.1 薄膜形貌表征技术 | 第16-18页 |
| 1.4.2 薄膜结构特性的光学表征技术 | 第18-22页 |
| 1.5 课题的研究意义及研究内容 | 第22-25页 |
| 第2章 差分反射光谱与荧光光谱原理分析 | 第25-39页 |
| 2.1 有机半导体薄膜生长动力学参数及特征 | 第25-27页 |
| 2.2 有机半导体薄膜光谱种类 | 第27-30页 |
| 2.2.1 吸收光谱 | 第27-29页 |
| 2.2.2 发射光谱 | 第29-30页 |
| 2.3 差分反射光谱基本理论 | 第30-35页 |
| 2.4 荧光光谱基本理论 | 第35-37页 |
| 2.4.1 影响有机半导体分子荧光特性的因素 | 第35-36页 |
| 2.4.2 荧光发射光谱 | 第36-37页 |
| 2.5 本章小结 | 第37-39页 |
| 第3章 有机半导体分子生长及表征系统 | 第39-53页 |
| 3.1 系统整体介绍 | 第39-40页 |
| 3.2 超高真空有机半导体分子生长系统 | 第40-42页 |
| 3.2.1 超高真空环境简介 | 第40-41页 |
| 3.2.2 超高真空有机半导体分子生长系统 | 第41-42页 |
| 3.3 差分反射光谱系统 | 第42-46页 |
| 3.3.1 系统光路设计 | 第43-44页 |
| 3.3.2 系统器件选择 | 第44-46页 |
| 3.4 原位荧光光谱系统 | 第46-49页 |
| 3.4.1 系统光路设计 | 第46-47页 |
| 3.4.2 系统器件选择 | 第47-49页 |
| 3.5 系统软件设计 | 第49-52页 |
| 3.6 本章小结 | 第52-53页 |
| 第4章 PTCDI-C_5薄膜表征及生长机理研究 | 第53-67页 |
| 4.1 实验研究综述 | 第53-54页 |
| 4.2 氧化铝基底实验研究 | 第54-62页 |
| 4.2.1 实验基底制备 | 第54-56页 |
| 4.2.2 实验结果与分析 | 第56-62页 |
| 4.3 云母基底实验研究 | 第62-66页 |
| 4.4 本章小结 | 第66-67页 |
| 第5章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 5.1 本文主要工作 | 第67-68页 |
| 5.2 工作展望 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
