摘要 | 第5-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第10-25页 |
1.1 研究背景 | 第10-23页 |
1.1.1 ZnO纳米材料 | 第11-14页 |
1.1.2 MoS_2薄层材料 | 第14-18页 |
1.1.3 ZnO-MoS_2复合材料 | 第18-21页 |
1.1.4 ZnO-MoO_3复合材料 | 第21-23页 |
1.2 主要研究内容和方案 | 第23页 |
1.2.1 主要研究内容 | 第23页 |
1.2.2 研究方案 | 第23页 |
1.3 研究意义 | 第23-24页 |
1.4 创新性 | 第24-25页 |
第二章 ZnO、MoS_2及复合材料的制备和表征方法 | 第25-36页 |
2.1 制备工艺 | 第25-29页 |
2.1.1 ZnO纳米棒的制备 | 第25-27页 |
2.1.2 薄层MoS_2的制备 | 第27-29页 |
2.1.3 ZnO-MoS_2复合材料的制备 | 第29页 |
2.1.4 ZnO-MoO_3复合材料的制备 | 第29页 |
2.2 表征方法 | 第29-35页 |
2.2.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第29-30页 |
2.2.2 原子力显微镜(AFM) | 第30页 |
2.2.3 X射线衍射(XRD) | 第30-31页 |
2.2.4 X射线光电子能谱(XPS) | 第31-32页 |
2.2.5 透射电子显微镜(TEM) | 第32-33页 |
2.2.6 拉曼光谱(RM) | 第33页 |
2.2.7 光致发光光谱(PL) | 第33-34页 |
2.2.8 振动样品磁强计(VSM) | 第34-35页 |
2.3 本章小结 | 第35-36页 |
第三章 制备条件对MoS_2的影响 | 第36-44页 |
3.1 MoS_2的制备条件 | 第36-41页 |
3.1.1 PTCDA的影响 | 第36页 |
3.1.2 反应温度的影响 | 第36-37页 |
3.1.3 原料距离的影响 | 第37-38页 |
3.1.4 基片放置朝向的影响 | 第38-39页 |
3.1.5 离子束刻蚀基片的影响 | 第39-40页 |
3.1.6 反应药品用量的影响 | 第40-41页 |
3.1.7 硫粉位置的影响 | 第41页 |
3.2 MoS_2纳米片的微结构 | 第41-43页 |
3.3 本章小结 | 第43-44页 |
第四章 ZnO-MoS_2和ZnO-MoO_3复合材料的性能研究 | 第44-61页 |
4.1 ZnO-MoS_2的微结构、发光性质及磁性 | 第44-55页 |
4.1.1 微结构 | 第44-48页 |
4.1.2 发光性质 | 第48-51页 |
4.1.3 黑索金处理 | 第51-54页 |
4.1.4 磁性 | 第54-55页 |
4.2 ZnO-MoO_3的微结构和发光性质 | 第55-60页 |
4.2.1 微结构 | 第55-57页 |
4.2.2 发光性质 | 第57-58页 |
4.2.3 不同反应温度下的ZnO-MoO_3复合材料 | 第58-60页 |
4.3 本章小结 | 第60-61页 |
第五章 总结和展望 | 第61-63页 |
5.1 总结 | 第61页 |
5.2 展望 | 第61-63页 |
致谢 | 第63-64页 |
参考文献 | 第64-72页 |
攻读硕士学位期间取得的成果 | 第72-73页 |