| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-19页 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 | 第12-13页 |
| 1.2 国内外研究历史与现状 | 第13-17页 |
| 1.3 选题依据及研究内容 | 第17-19页 |
| 1.3.1 选题依据 | 第17页 |
| 1.3.2 研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 In_2O_3薄膜的制备工艺和性能研究 | 第19-37页 |
| 2.1 薄膜制备方法 | 第19页 |
| 2.2 薄膜表征方法 | 第19-22页 |
| 2.2.1 台阶仪 | 第19-20页 |
| 2.2.2 四探针测试仪 | 第20页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第20-21页 |
| 2.2.4 X射线衍射(XRD)仪 | 第21-22页 |
| 2.3 In_2O_3薄膜的制备和性能研究 | 第22-36页 |
| 2.3.1 溅射气压对In_2O_3薄膜微观结构和电学性能的影响 | 第22-24页 |
| 2.3.2 溅射功率对In_2O_3薄膜微观结构和电学性能的影响 | 第24-25页 |
| 2.3.3 溅射气氛中含氮比例对In_2O_3薄膜微观结构和电学性能的影响 | 第25-28页 |
| 2.3.4 退火处理对In_2O_3薄膜微观结构和电学性能的影响 | 第28-36页 |
| 2.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 陶瓷基In_2O_3/ITO高温陶瓷薄膜热电偶的制备和性能研究 | 第37-58页 |
| 3.1 薄膜热电偶的基本理论 | 第37-41页 |
| 3.1.1 赛贝克效应 | 第37-39页 |
| 3.1.2 热电偶回路定律 | 第39-41页 |
| 3.2 薄膜热电偶的热电性能测试 | 第41-43页 |
| 3.3 陶瓷基In_2O_3/ITO高温陶瓷薄膜热电偶的制备 | 第43页 |
| 3.4 退火处理对In_2O_3/ITO高温陶瓷薄膜热电偶性能的影响 | 第43-53页 |
| 3.4.1 In_2O_3/ITO薄膜热电偶未退火处理时的性能测试 | 第44-45页 |
| 3.4.2 真空/大气退火处理对In_2O_3/ITO薄膜热电偶性能的影响 | 第45-47页 |
| 3.4.3 氮气/大气退火处理对In_2O_3/ITO薄膜热电偶性能的影响 | 第47-53页 |
| 3.5 Al_2O_3保护层对In_2O_3/ITO高温陶瓷薄膜热电偶性能的影响 | 第53-56页 |
| 3.6 本章小结 | 第56-58页 |
| 第四章 金属基In_2O_3/ITO高温陶瓷薄膜热电偶的制备和性能研究 | 第58-64页 |
| 4.1 金属基In_2O_3/ITO高温陶瓷薄膜热电偶的结构 | 第58页 |
| 4.2 金属基In_2O_3/ITO高温陶瓷薄膜热电偶的制备 | 第58-60页 |
| 4.3 金属基In_2O_3/ITO高温陶瓷薄膜热电偶性能的研究 | 第60-62页 |
| 4.4 本章小结 | 第62-64页 |
| 第五章 结论与展望 | 第64-66页 |
| 5.1 结论 | 第64-65页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第71-72页 |
