基于SiGe工艺的W波段三倍频器的设计研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第15-21页 |
| 1.1 毫米波单片微波集成电路的研究背景 | 第15页 |
| 1.2 MMIC技术特点及工艺简介 | 第15-16页 |
| 1.3 W波段倍频器的发展概述 | 第16-19页 |
| 1.4 论文结构概述 | 第19-21页 |
| 第二章 三倍频器的基本理论 | 第21-32页 |
| 2.1 二极管的非线性倍频理论 | 第22-24页 |
| 2.2 二极管三倍频工作原理 | 第24-26页 |
| 2.2.1 单管三倍频器 | 第24-25页 |
| 2.2.2 单平衡倍频器 | 第25-26页 |
| 2.3 三极管的非线性倍频理论 | 第26-29页 |
| 2.4 晶体管三倍频工作原理 | 第29-31页 |
| 2.4.1 单管三倍频工作原理 | 第29-30页 |
| 2.4.2 单平衡三倍频工作原理 | 第30-31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章W波段倍频器无源器件设计 | 第32-45页 |
| 3.1 W波段滤波器设计 | 第32-37页 |
| 3.1.1 SIR原理 | 第32-34页 |
| 3.1.2 滤波器耦合特性分析 | 第34-35页 |
| 3.1.3 W波段滤波电路设计仿真 | 第35-37页 |
| 3.2 倍频器巴伦设计 | 第37-42页 |
| 3.2.1 Marchand巴伦原理 | 第37-39页 |
| 3.2.2 巴伦设计仿真 | 第39-42页 |
| 3.3 W波段波导-微带转换设计 | 第42-44页 |
| 3.3.1 波导-微带转换原理 | 第42-44页 |
| 3.3.2 波导-微带转换设计仿真优化 | 第44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 倍频器原理图设计 | 第45-71页 |
| 4.1 SiGe工艺器件模型分析 | 第45-49页 |
| 4.1.1 NPN晶体管 | 第46-47页 |
| 4.1.2 MIM电容 | 第47-48页 |
| 4.1.3 电阻 | 第48页 |
| 4.1.4 电感 | 第48-49页 |
| 4.2 偏置电路 | 第49-54页 |
| 4.2.1 管芯选择 | 第49-50页 |
| 4.2.2 偏置点选择 | 第50-52页 |
| 4.2.3 偏置电路选择 | 第52-54页 |
| 4.3 稳压电路设计 | 第54页 |
| 4.4 谐波平衡分析方法 | 第54-55页 |
| 4.5 多谐波负载牵引技术 | 第55-58页 |
| 4.6 匹配电路的设计 | 第58-59页 |
| 4.7 单管倍频器的设计 | 第59-61页 |
| 4.8 单平衡倍频器设计 | 第61-63页 |
| 4.9 单平衡低插损倍频器 | 第63-70页 |
| 4.9.1 W波段放大电路设计 | 第63-68页 |
| 4.9.2 级联电路设计 | 第68-70页 |
| 4.10 本章小结 | 第70-71页 |
| 第五章 倍频器的版图设计 | 第71-92页 |
| 5.1 全波仿真验证 | 第71-77页 |
| 5.1.1 电容 | 第72-73页 |
| 5.1.2 传输线 | 第73-75页 |
| 5.1.3 耦合走线 | 第75-77页 |
| 5.2 倍频器版图仿真与设计 | 第77-86页 |
| 5.2.1 单管倍频器 | 第78-80页 |
| 5.2.2 单平衡倍频器 | 第80-82页 |
| 5.2.3 单平衡低插损倍频器 | 第82-84页 |
| 5.2.4 加工版图设计 | 第84-86页 |
| 5.3 敏感性分析和DRC检查 | 第86-87页 |
| 5.3.1 敏感性分析 | 第86页 |
| 5.3.2 DRC检查 | 第86-87页 |
| 5.4 MMIC工艺流程 | 第87页 |
| 5.5 测试方案 | 第87-90页 |
| 5.5.1 PCB测试 | 第88-90页 |
| 5.5.2 探针台测试 | 第90页 |
| 5.5.3 测试仪器 | 第90页 |
| 5.6 本章小结 | 第90-92页 |
| 第六章 总结与展望 | 第92-94页 |
| 致谢 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第95-99页 |
