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基于SiGe工艺的W波段三倍频器的设计研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
第一章 绪论第15-21页
    1.1 毫米波单片微波集成电路的研究背景第15页
    1.2 MMIC技术特点及工艺简介第15-16页
    1.3 W波段倍频器的发展概述第16-19页
    1.4 论文结构概述第19-21页
第二章 三倍频器的基本理论第21-32页
    2.1 二极管的非线性倍频理论第22-24页
    2.2 二极管三倍频工作原理第24-26页
        2.2.1 单管三倍频器第24-25页
        2.2.2 单平衡倍频器第25-26页
    2.3 三极管的非线性倍频理论第26-29页
    2.4 晶体管三倍频工作原理第29-31页
        2.4.1 单管三倍频工作原理第29-30页
        2.4.2 单平衡三倍频工作原理第30-31页
    2.5 本章小结第31-32页
第三章W波段倍频器无源器件设计第32-45页
    3.1 W波段滤波器设计第32-37页
        3.1.1 SIR原理第32-34页
        3.1.2 滤波器耦合特性分析第34-35页
        3.1.3 W波段滤波电路设计仿真第35-37页
    3.2 倍频器巴伦设计第37-42页
        3.2.1 Marchand巴伦原理第37-39页
        3.2.2 巴伦设计仿真第39-42页
    3.3 W波段波导-微带转换设计第42-44页
        3.3.1 波导-微带转换原理第42-44页
        3.3.2 波导-微带转换设计仿真优化第44页
    3.4 本章小结第44-45页
第四章 倍频器原理图设计第45-71页
    4.1 SiGe工艺器件模型分析第45-49页
        4.1.1 NPN晶体管第46-47页
        4.1.2 MIM电容第47-48页
        4.1.3 电阻第48页
        4.1.4 电感第48-49页
    4.2 偏置电路第49-54页
        4.2.1 管芯选择第49-50页
        4.2.2 偏置点选择第50-52页
        4.2.3 偏置电路选择第52-54页
    4.3 稳压电路设计第54页
    4.4 谐波平衡分析方法第54-55页
    4.5 多谐波负载牵引技术第55-58页
    4.6 匹配电路的设计第58-59页
    4.7 单管倍频器的设计第59-61页
    4.8 单平衡倍频器设计第61-63页
    4.9 单平衡低插损倍频器第63-70页
        4.9.1 W波段放大电路设计第63-68页
        4.9.2 级联电路设计第68-70页
    4.10 本章小结第70-71页
第五章 倍频器的版图设计第71-92页
    5.1 全波仿真验证第71-77页
        5.1.1 电容第72-73页
        5.1.2 传输线第73-75页
        5.1.3 耦合走线第75-77页
    5.2 倍频器版图仿真与设计第77-86页
        5.2.1 单管倍频器第78-80页
        5.2.2 单平衡倍频器第80-82页
        5.2.3 单平衡低插损倍频器第82-84页
        5.2.4 加工版图设计第84-86页
    5.3 敏感性分析和DRC检查第86-87页
        5.3.1 敏感性分析第86页
        5.3.2 DRC检查第86-87页
    5.4 MMIC工艺流程第87页
    5.5 测试方案第87-90页
        5.5.1 PCB测试第88-90页
        5.5.2 探针台测试第90页
        5.5.3 测试仪器第90页
    5.6 本章小结第90-92页
第六章 总结与展望第92-94页
致谢第94-95页
参考文献第95-99页

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