| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 单层二硫化钼的纳米材料 | 第11-16页 |
| 1.1.1 单层二硫化钼 | 第11-12页 |
| 1.1.2 二硫化钼的缺陷结构 | 第12-16页 |
| 1.2 单层二硫化钒的纳米材料 | 第16-18页 |
| 1.3 二维范德华异质结构 | 第18-20页 |
| 1.4 本文的研究意义 | 第20-22页 |
| 第二章 计算方法 | 第22-27页 |
| 2.1 理论基础 | 第22-25页 |
| 2.1.1 Born-Oppenheimer近似与Hartree-Fock近似 | 第22页 |
| 2.1.2 密度泛函理论 | 第22-25页 |
| 2.2 本文中使用的计算软件介绍 | 第25-27页 |
| 第三章 非极性气体在单层二硫化钼表面的吸附研究 | 第27-40页 |
| 3.1 引言 | 第27-28页 |
| 3.2 计算方法 | 第28-29页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第29-38页 |
| 3.3.1 CO_2和CH_4在单层二硫化钼表面的吸附 | 第29-31页 |
| 3.3.2 CO_2和CH_4在具有点缺陷二硫化钼表面的吸附 | 第31-37页 |
| 3.3.3 采用蒙特卡洛方法对气体吸附的研究 | 第37-38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-40页 |
| 第四章 二硫化钒与氟化石墨烯形成异质结构的磁性研究 | 第40-52页 |
| 4.1 引言 | 第40-41页 |
| 4.2 计算模型与方法 | 第41-42页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第42-51页 |
| 4.3.1 范德华异质结构模拟的泛函选择 | 第42-44页 |
| 4.3.2 石墨烯和VS2形成的稳定异质结构 | 第44-46页 |
| 4.3.3 氟化石墨烯对VS2磁性的调控 | 第46-49页 |
| 4.3.4 自旋极化态密度和自旋密度的分析 | 第49-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 卤素原子修复二硒化钼表面硒空位的电磁和光学性质的研究 | 第52-66页 |
| 5.1 引言 | 第52-53页 |
| 5.2 计算方法 | 第53-54页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第54-64页 |
| 5.4 本章小结 | 第64-66页 |
| 第六章 总结 | 第66-69页 |
| 参考文献 | 第69-82页 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文 | 第82-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
