中文摘要 | 第3-4页 |
英文摘要 | 第4-5页 |
1 绪论 | 第9-21页 |
1.1 课题的背景 | 第9-11页 |
1.1.1 PLED器件及其空穴传输材料 | 第9-11页 |
1.1.2 课题的研究意义 | 第11页 |
1.2 国内外研究现状 | 第11-19页 |
1.2.1 CuSCN与CuI的材料特性 | 第11-15页 |
1.2.2 CuSCN与CuI的器件应用 | 第15-18页 |
1.2.3 小结 | 第18-19页 |
1.3 本论文的研究目的与研究内容 | 第19-21页 |
1.3.1 研究目的 | 第19页 |
1.3.2 研究内容 | 第19-21页 |
2 CuSCN/CuI复合薄膜的制备与表征 | 第21-37页 |
2.1 CuSCN/CuI复合材料的制备 | 第21-26页 |
2.1.1 制备方法 | 第21-23页 |
2.1.2 制备实验 | 第23-25页 |
2.1.3 晶体结构表征 | 第25-26页 |
2.2 CuSCN/CuI复合薄膜的制备 | 第26-29页 |
2.2.1 制备方法 | 第26-28页 |
2.2.2 制备实验 | 第28-29页 |
2.3 CuSCN/CuI复合薄膜的性能表征 | 第29-36页 |
2.3.1 表面形貌 | 第29-31页 |
2.3.2 表面粗糙度 | 第31-34页 |
2.3.3 光学透过率 | 第34-36页 |
2.4 本章小结 | 第36-37页 |
3 CuSCN/CuI单空穴器件与空穴传输特性分析 | 第37-49页 |
3.1 单空穴器件注入与传输理论模型 | 第37-39页 |
3.1.1 载流子的注入 | 第37-38页 |
3.1.2 载流子的传输 | 第38-39页 |
3.2 单空穴器件的设计与制备 | 第39-45页 |
3.2.1 结构设计 | 第39-42页 |
3.2.2 制备方案 | 第42页 |
3.2.3 制备实验 | 第42-45页 |
3.3 单空穴器件的电流密度-电压特性测试与分析 | 第45-48页 |
3.3.1 测试结果 | 第45-46页 |
3.3.2 结果分析 | 第46-48页 |
3.4 本章小结 | 第48-49页 |
4 基于CuSCN/CuI空穴传输层的PLED器件的制备与表征 | 第49-61页 |
4.1 OLED结构与发光原理 | 第49-50页 |
4.1.1 OLED器件结构 | 第49页 |
4.1.2 OLED发光原理 | 第49-50页 |
4.2 PLED器件的结构设计 | 第50-51页 |
4.3 PLED器件的制备与表征 | 第51-53页 |
4.3.1 器件的制备 | 第51-52页 |
4.3.2 表征参数与方法 | 第52-53页 |
4.4 实验结果与分析 | 第53-58页 |
4.4.1 电致发光光谱 | 第53-54页 |
4.4.2 电流密度-电压关系曲线 | 第54-55页 |
4.4.3 亮度-电压关系曲线 | 第55-56页 |
4.4.4 电流效率-电压关系曲线 | 第56-57页 |
4.4.5 器件效率重复性 | 第57-58页 |
4.5 本章小结 | 第58-61页 |
5 基于CuSCN/CuI空穴传输层的PLED器件的稳定性 | 第61-71页 |
5.1 OLED稳定性简介 | 第61-62页 |
5.2 影响OLED稳定性的因素 | 第62-64页 |
5.2.1 非本质因素 | 第62-63页 |
5.2.2 本质因素 | 第63-64页 |
5.3 OLED器件性能随时间衰减的模型 | 第64-66页 |
5.3.1 亮度衰减模型 | 第64-65页 |
5.3.2 电压上升模型 | 第65-66页 |
5.4 OLED器件稳定性测试系统与测试方案 | 第66-68页 |
5.4.1 测试系统 | 第66-67页 |
5.4.2 测试方案 | 第67-68页 |
5.4.3 测试实验 | 第68页 |
5.5 PLED器件的稳定性测试结果与分析 | 第68-70页 |
5.5.1 测试结果 | 第68-69页 |
5.5.2 结果分析 | 第69-70页 |
5.6 本章小结 | 第70-71页 |
6 总结与展望 | 第71-73页 |
6.1 本文工作总结 | 第71-72页 |
6.2 有待进一步解决的问题 | 第72-73页 |
致谢 | 第73-75页 |
参考文献 | 第75-81页 |
附录 | 第81页 |
A.作者在攻读学位期间发表的论文目录 | 第81页 |
B.授权和受理的发明专利 | 第81页 |
C.参与的科研项目 | 第81页 |