| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 符号对照表 | 第13-15页 |
| 缩略语对照表 | 第15-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-22页 |
| 1.1 SiC材料的特性及研究意义 | 第18-19页 |
| 1.2 SiC MOS器件的发展现状及存在的问题 | 第19-21页 |
| 1.3 本文的主要研究内容及安排 | 第21-22页 |
| 第二章 SiC MOSFET反型层迁移率模型的建立 | 第22-34页 |
| 2.1 电子散射机制 | 第22-26页 |
| 2.1.1 体内散射机制 | 第22-23页 |
| 2.1.2 表面/界面散射机制 | 第23-26页 |
| 2.2 反型层迁移率模型的建立 | 第26-32页 |
| 2.2.1 Sentaurus TCAD软件简介 | 第26-27页 |
| 2.2.2 体迁移率模型 | 第27-28页 |
| 2.2.3 表面/界面迁移率模型 | 第28-31页 |
| 2.2.4 高场饱和迁移率模型 | 第31-32页 |
| 2.3 本章小结 | 第32-34页 |
| 第三章 反型层迁移率的模拟分析 | 第34-44页 |
| 3.1 SiO_2/4H-SiC结构中的电荷分布 | 第34-36页 |
| 3.2 陷阱模型 | 第36-37页 |
| 3.3 模型结果分析 | 第37-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-44页 |
| 第四章 界面陷阱对器件特性的影响研究 | 第44-68页 |
| 4.1 陷阱电荷对 4H-SiC MOS C-V特性的影响研究 | 第44-55页 |
| 4.1.1 陷阱对C-V曲线的影响机制 | 第44-49页 |
| 4.1.2 不同能级位置的陷阱 | 第49-52页 |
| 4.1.3 不同的陷阱浓度 | 第52-55页 |
| 4.2 陷阱对器件性能的影响仿真 | 第55-65页 |
| 4.2.1 常温下陷阱电荷对迁移率的影响方式分析 | 第56-59页 |
| 4.2.2 不同温度下陷阱电荷对器件性能的影响分析 | 第59-65页 |
| 4.3 本章小结 | 第65-68页 |
| 第五章 结论和展望 | 第68-72页 |
| 5.1 总结 | 第68-69页 |
| 5.2 展望 | 第69-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 致谢 | 第76-78页 |
| 作者简介 | 第78-79页 |
