负离子掠射HOPG表面形成正离子的研究
摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4-5页 |
第一章 引言 | 第8-17页 |
1.1 电荷转移的研究背景 | 第8-10页 |
1.2 离子形成的研究意义 | 第10-11页 |
1.3 HOPG表面电荷转移的研究现状 | 第11-15页 |
1.4 本论文的研究意义与研究目标 | 第15-16页 |
1.5 本论文的内容安排 | 第16-17页 |
第二章 粒子表面碰撞的基本概念 | 第17-46页 |
2.1 轨迹 | 第17-22页 |
2.1.1 相互作用势 | 第17-18页 |
2.1.2 表面沟道 | 第18-22页 |
2.2 离子-表面相互作用 | 第22-31页 |
2.2.1 jellium模型 | 第22-25页 |
2.2.2 金属表面的介电响应与动态镜像势 | 第25-27页 |
2.2.3 镜像电荷相互作用 | 第27-31页 |
2.3 电荷转移 | 第31-43页 |
2.3.1 共振电荷转移 | 第31-34页 |
2.3.2 俄歇电荷转移 | 第34-39页 |
2.3.3 分子轨道模型 | 第39-43页 |
2.4 HOPG的电子结构 | 第43-46页 |
第三章 实验仪器和技术 | 第46-54页 |
3.1 概述 | 第46-47页 |
3.2 样品处理 | 第47-49页 |
3.3 位置灵敏探测器 | 第49-53页 |
3.3.1 微通道板 | 第49-51页 |
3.3.2 一维电阻阳极 | 第51-52页 |
3.3.3 位置灵敏探测器的结构 | 第52-53页 |
3.4 数据获取系统 | 第53-54页 |
第四章 实验结果 | 第54-57页 |
4.1 位置谱 | 第54-55页 |
4.2 正离子份额的速度依赖和角度依赖 | 第55-57页 |
第五章 轨迹效应 | 第57-65页 |
5.1 轨迹模拟 | 第57-58页 |
5.2 模拟结果 | 第58-62页 |
5.2.1 能量依赖 | 第59-61页 |
5.2.2 角度依赖 | 第61页 |
5.2.3 粗糙表面的模拟结果 | 第61-62页 |
5.3 轨迹分析 | 第62-65页 |
第六章 正离子的形成与衰减 | 第65-72页 |
6.1 正离子的产生 | 第65-68页 |
6.2 正离子的衰减 | 第68-72页 |
第七章 总结与展望 | 第72-73页 |
7.1 论文总结 | 第72页 |
7.2 研究展望 | 第72-73页 |
参考文献 | 第73-78页 |
在学期间的研究成果 | 第78-80页 |
一、发表论文 | 第78-79页 |
二、参与课题 | 第79-80页 |
致谢 | 第80页 |