| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| 1.1 引言 | 第7页 |
| 1.2 硅基Ge光电探测器的分类及研究进展 | 第7-13页 |
| 1.2.1 PIN结构 | 第8-11页 |
| 1.2.2 APD结构 | 第11-12页 |
| 1.2.3 MSM结构 | 第12-13页 |
| 1.3 本文的主要研究内容及结构安排 | 第13-15页 |
| 第二章 硅基锗薄膜的选择性外延生长研制 | 第15-31页 |
| 2.1 引言 | 第15-17页 |
| 2.2 选择性外延生长Ge薄膜的工艺开发 | 第17-27页 |
| 2.2.1 RPCVD外延设备 | 第17-19页 |
| 2.2.2 硅基锗薄膜选择性外延生长实验工艺流程 | 第19-20页 |
| 2.2.3 实验结果表征与分析 | 第20-27页 |
| 2.3 探测器中外延锗薄膜的生长及表征 | 第27-31页 |
| 第三章 SOI基波导集成水平PIN结构探测器的制备 | 第31-43页 |
| 3.1 PIN结构探测器的工作原理 | 第31-32页 |
| 3.2 PIN结构探测器的性能参数 | 第32-34页 |
| 3.2.1 量子效率和响应度 | 第32页 |
| 3.2.2 响应时间和带宽 | 第32-34页 |
| 3.2.3 暗电流和噪声 | 第34页 |
| 3.3 探测器结构设计 | 第34-38页 |
| 3.3.1 SOI衬底 | 第34-35页 |
| 3.3.2 探测器本征层吸收材料 | 第35-36页 |
| 3.3.3 探测器耦合方式 | 第36-38页 |
| 3.4 探测器的结构及制备工艺流程 | 第38-43页 |
| 第四章 探测器结构表征及性能测试分析 | 第43-59页 |
| 4.1 探测器结构表征 | 第43-47页 |
| 4.2 光栅波导插入损耗 | 第47-50页 |
| 4.3 探测器光电流和响应度 | 第50-53页 |
| 4.4 探测器暗电流特性 | 第53-54页 |
| 4.5 探测器S参数和带宽 | 第54-57页 |
| 4.6 探测器眼图 | 第57-59页 |
| 第五章 总结及展望 | 第59-61页 |
| 5.1 本文的主要研究内容和结论 | 第59页 |
| 5.2 工作展望 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-69页 |
| 附录 | 第69-71页 |