| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第12-24页 |
| 1.1 半导体纳米线 | 第12-15页 |
| 1.1.1 半导体纳米线的生长 | 第12-14页 |
| 1.1.2 半导体纳米线激光器和LED | 第14页 |
| 1.1.3 半导体纳米线光探测器和光电池 | 第14-15页 |
| 1.2 半导体纳米线太阳能电池 | 第15-18页 |
| 1.2.1 纳米线太阳能电池的结构 | 第15-16页 |
| 1.2.2 纳米线阵列中的光吸收 | 第16-17页 |
| 1.2.3 半导体纳米线中的载流子产生和分离 | 第17页 |
| 1.2.4 半导体纳米线中的载流子收集 | 第17-18页 |
| 1.3 论文的结构与安排 | 第18-19页 |
| 参考文献 | 第19-24页 |
| 第二章 Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线太阳能电池 | 第24-35页 |
| 2.1 半导体纳米线太阳能电池的研究热点 | 第24页 |
| 2.2 Ⅲ-Ⅴ族纳米线太阳能电池的生长及性能分析 | 第24-28页 |
| 2.2.1 Ⅲ-Ⅴ族纳米线的合成机制 | 第25页 |
| 2.2.2 Ⅲ-Ⅴ族核壳纳米线的生长 | 第25-27页 |
| 2.2.3 Ⅲ-Ⅴ族轴向结纳米线的生长 | 第27页 |
| 2.2.4 Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线的光伏性能 | 第27-28页 |
| 2.3 用于Ⅲ-Ⅴ族纳米线光伏性能的仿真软件介绍 | 第28-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-35页 |
| 第三章 Ⅲ-Ⅴ族纳米线复合结构太阳能电池的光伏特性的研究 | 第35-52页 |
| 3.1 Ⅲ-Ⅴ族纳米线径向与轴向p-n结光伏性能的对比 | 第35-37页 |
| 3.1.1 GaAs纳米线阵列太阳能电池的光场分布的研究 | 第36-37页 |
| 3.2 Ⅲ-Ⅴ族纳米线复合结构太阳能电池的理论模型构建 | 第37-45页 |
| 3.2.1 复合结构太阳能电池的器件设计 | 第37-39页 |
| 3.2.2 仿真中采用的物理模型 | 第39-45页 |
| 3.3 复合结构太阳能电池的光伏性能仿真和结果分析 | 第45-49页 |
| 3.3.1 仿真方法 | 第45-46页 |
| 3.3.2 结果分析 | 第46-48页 |
| 3.3.3 与轴向串联的轴向p-n结纳米线太阳能电池的性能比较 | 第48-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 第四章 Ⅲ-Ⅴ族纳米线阵列的形貌对其光伏性能的影响 | 第52-64页 |
| 4.1 Ⅲ-Ⅴ族纳米线的表面光滑度和阵列密度对光伏特性的影响 | 第52-53页 |
| 4.2 锥状Ⅲ-Ⅴ族纳米线阵列太阳能电池的光伏特性 | 第53-58页 |
| 4.2.1 理论模型 | 第55页 |
| 4.2.2 数值仿真和结果分析 | 第55-58页 |
| 4.3 Ⅲ-Ⅴ族纳米线的倾斜角度对光伏特性的影响 | 第58-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-66页 |
| 作者攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第66页 |
