硅凝固生长过程中孪晶和位错形成与演变模拟研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 第1章 引言 | 第8-19页 |
| 1.1 研究背景 | 第8-11页 |
| 1.2 硅晶体中孪晶的研究现状 | 第11-14页 |
| 1.3 硅晶体中位错的研究现状 | 第14-16页 |
| 1.4 孪晶与位错的分子动力学模拟研究 | 第16-18页 |
| 1.5 本文研究内容 | 第18-19页 |
| 第2章 分子动力学方法与分析技术 | 第19-24页 |
| 2.1 分子动力学方法 | 第19-21页 |
| 2.1.1 基本原理与步骤 | 第19-20页 |
| 2.1.2 模拟系综 | 第20页 |
| 2.1.3 势函数 | 第20-21页 |
| 2.2 分析技术 | 第21-24页 |
| 2.2.1 晶体原子数的识别 | 第21页 |
| 2.2.2 位错与孪晶的识别 | 第21-22页 |
| 2.2.3 模拟和分析软件 | 第22-24页 |
| 第3章 硅晶体生长过程中孪晶的形成 | 第24-46页 |
| 3.1 引言 | 第24页 |
| 3.2 模型 | 第24-25页 |
| 3.3 模拟结果 | 第25-44页 |
| 3.3.1 生长方向对孪晶形成的影响 | 第25-31页 |
| 3.3.2 孪晶的形成能 | 第31-37页 |
| 3.3.3 晶体特征对孪晶形成的影响 | 第37-41页 |
| 3.3.4 温度对不同生长面孪晶形成的影响 | 第41-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-46页 |
| 第4章 硅晶体生长过程中位错的形成 | 第46-66页 |
| 4.1 引言 | 第46页 |
| 4.2 模型与方法 | 第46-48页 |
| 4.3 模拟结果 | 第48-65页 |
| 4.3.1 硅晶体生长过程中位错的形成 | 第48-53页 |
| 4.3.2 温度对位错形核概率的影响 | 第53-55页 |
| 4.3.3 位错的演化-合成和分解 | 第55-60页 |
| 4.3.4 位错对硅晶体生长界面的影响 | 第60-63页 |
| 4.3.5 位错对硅晶体生长速率的影响 | 第63-65页 |
| 4.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 第5章 结论 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-75页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第75页 |
