| 摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| Samenvatting | 第10-17页 |
| TABLE OF CONTENTS | 第17-19页 |
| 图表目录 | 第19-24页 |
| 主要符号表 | 第24-26页 |
| 1 绪论 | 第26-45页 |
| 1.1 低温等离子体与微电子工业 | 第26-28页 |
| 1.2 低温等离子体源简述 | 第28-33页 |
| 1.2.1 容性耦合等离子体源 | 第28-30页 |
| 1.2.2 感性耦合等离子体源 | 第30-32页 |
| 1.2.3 电子回旋共振等离子体源 | 第32-33页 |
| 1.3 等离子体刻蚀工艺中的关键问题和解决办法 | 第33-39页 |
| 1.4 直流/射频容性耦合等离子体源的研究进展 | 第39-41页 |
| 1.5 电非对称效应的研究进展 | 第41-43页 |
| 1.6 本文研究内容与安排 | 第43-45页 |
| 2 P I C/MCC方法 | 第45-69页 |
| 2.1 概述 | 第45-46页 |
| 2.2 PIC方法 | 第46-50页 |
| 2.2.1 电荷分配方法 | 第47-48页 |
| 2.2.2 泊松方程 | 第48-49页 |
| 2.2.3 粒子推动 | 第49-50页 |
| 2.3 MCC模型 | 第50-63页 |
| 2.3.1 伪碰撞方法 | 第50-52页 |
| 2.3.2 电子与中性粒子的碰撞处理 | 第52-57页 |
| 2.3.3 离子与中性粒子的碰撞处理 | 第57-61页 |
| 2.3.4 离子与分子的吸热反应碰撞模型 | 第61-62页 |
| 2.3.5 正负电荷的复合反应处理 | 第62-63页 |
| 2.4 电路模型 | 第63-69页 |
| 2.4.1 电介质等效电路 | 第64-65页 |
| 2.4.2 外电路模型 | 第65-69页 |
| 3 直流/射频容性耦合等离子体的模拟 | 第69-94页 |
| 3.1 引言 | 第69-70页 |
| 3.2 直流/单频容性耦合等离子体中的表面充电效应 | 第70-77页 |
| 3.2.1 模拟参数 | 第70-71页 |
| 3.2.2 计算结果与讨论 | 第71-77页 |
| 3.3 直流/单频和直流/双频容性放电中的电子加热机制 | 第77-86页 |
| 3.3.1 模拟参数 | 第77-78页 |
| 3.3.2 计算结果与讨论 | 第78-86页 |
| 3.4 直流/双频容性耦合CF_4放电中的加热模式转变 | 第86-92页 |
| 3.4.1 模拟参数 | 第87页 |
| 3.4.2 计算结果与讨论 | 第87-92页 |
| 3.5 本章小结 | 第92-94页 |
| 4 电非对称效应的模拟研究 | 第94-123页 |
| 4.1 引言 | 第94-96页 |
| 4.2 电负性容性耦合等离子体中的电非对称效应的模拟研究 | 第96-106页 |
| 4.2.1 模拟参数 | 第96页 |
| 4.2.2 计算结果与讨论 | 第96-106页 |
| 4.3 容性耦合O_2放电中电非对称效应对等离子体属性的调控 | 第106-113页 |
| 4.3.1 模拟与实验参数 | 第107页 |
| 4.3.2 计算结果与讨论 | 第107-113页 |
| 4.4 几何非对称效应和电非对称效应的独立调节 | 第113-121页 |
| 4.4.1 模拟参数 | 第113-114页 |
| 4.4.2 计算结果与讨论 | 第114-121页 |
| 4.5 本章小结 | 第121-123页 |
| 5 结论与展望 | 第123-127页 |
| 5.1 结论与创新点 | 第123-125页 |
| 5.2 创新点摘要 | 第125页 |
| 5.3 展望 | 第125-127页 |
| 参考文献 | 第127-138页 |
| 攻读博士学位期间科研项目及科研成果 | 第138-141页 |
| 致谢 | 第141-142页 |
| 作者简介 | 第142页 |
