热处理对Cr/Au双层薄膜显微结构和应力的影响
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 课题研究的背景和意义 | 第10页 |
| 1.2 薄膜的制备技术 | 第10-15页 |
| 1.2.1 物理气相沉积法 | 第11-15页 |
| 1.2.2 化学气相沉积法 | 第15页 |
| 1.3 薄膜的分析 | 第15-19页 |
| 1.3.1 X 射线分析的特点 | 第15-16页 |
| 1.3.2 X 射线反射率测量 | 第16-17页 |
| 1.3.3 表面形貌的分析技术 | 第17-18页 |
| 1.3.4 薄膜电阻率测量技术 | 第18-19页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第19-21页 |
| 第2章 实验材料的制备与分析方法 | 第21-26页 |
| 2.1 实验材料的制备 | 第21-23页 |
| 2.2 薄膜热处理方案 | 第23-24页 |
| 2.3 观察分析方案 | 第24-26页 |
| 2.3.1 电阻测量 | 第24页 |
| 2.3.2 XRD 分析 | 第24页 |
| 2.3.3 原子力分析 | 第24-26页 |
| 第3章 Cr/Au 双层薄膜的组织结构和应力 | 第26-50页 |
| 3.1 热处理对物相与组织结构的影响 | 第26-29页 |
| 3.2 热处理对薄膜宏观应力的影响 | 第29-34页 |
| 3.2.1 退火温度对薄膜宏观应力的影响 | 第29-31页 |
| 3.2.2 退火时间对薄膜宏观应力的影响 | 第31页 |
| 3.2.3 衬底温度对薄膜宏观应力的影响 | 第31-34页 |
| 3.3 热处理对薄膜表面形貌的影响 | 第34-44页 |
| 3.3.1 退火工艺对薄膜表面的影响 | 第34-39页 |
| 3.3.2 衬底温度对薄膜表面的影响 | 第39-44页 |
| 3.4 薄膜微观应变的变化 | 第44-48页 |
| 3.4.1 退火温度对微观应变的影响 | 第45-46页 |
| 3.4.2 退火时间对微观应变的影响 | 第46-47页 |
| 3.4.3 衬底温度对微观应变的影响 | 第47-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-50页 |
| 第4章 Au 薄膜点阵常数与方阻的变化 | 第50-63页 |
| 4.1 AU 薄膜的点阵常数变化 | 第50-55页 |
| 4.2 退火温度对方阻的影响 | 第55-59页 |
| 4.3 退火时间对方阻的影响 | 第59-60页 |
| 4.4 衬底温度改变对方阻的影响 | 第60-61页 |
| 4.5 本章小结 | 第61-63页 |
| 结论 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
