| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第13-35页 |
| 1.1 石墨烯的研究背景 | 第13-25页 |
| 1.1.1 石墨烯的结构 | 第13-14页 |
| 1.1.2 石墨烯的特性 | 第14-15页 |
| 1.1.3 石墨烯的应用 | 第15-19页 |
| 1.1.4 石墨烯的制备方法 | 第19-25页 |
| 1.2 WO_3薄膜及阳极氧化有序孔结构 | 第25-32页 |
| 1.2.1 纳米技术简介 | 第25-27页 |
| 1.2.2 WO_3纳米材料的制备及其应用 | 第27-32页 |
| 1.3 本论文的主要内容 | 第32-35页 |
| 第二章 石墨烯及其氧化物复合结构气相沉积法制备研究 | 第35-61页 |
| 2.1 等离子增强化学气相沉积PECVD系统及其改良 | 第35-38页 |
| 2.2 石墨烯等离子增强化学气相沉积制备方法 | 第38-44页 |
| 2.2.1 石墨烯的制备 | 第38-41页 |
| 2.2.2 石墨烯的转移 | 第41-44页 |
| 2.3 石墨烯等离子增强化学气相沉积制备的表征 | 第44-53页 |
| 2.4 石墨烯基氧化物复合结构的制备 | 第53-55页 |
| 2.5 石墨烯及其氧化物复合结构的测试及表征 | 第55-59页 |
| 2.6 本章小结 | 第59-61页 |
| 第三章 石墨烯及纳米碳管PECVD技术及装置研发 | 第61-89页 |
| 3.1 技术领域及背景技术 | 第61-64页 |
| 3.1.1 技术领域 | 第61页 |
| 3.1.2 背景技术 | 第61-64页 |
| 3.2 原有装置及缺点不足 | 第64-67页 |
| 3.2.1 原有装置 | 第64-66页 |
| 3.2.2 缺点不足 | 第66-67页 |
| 3.3 发明内容及部件组成 | 第67-69页 |
| 3.3.1 发明内容 | 第67-68页 |
| 3.3.2 发明装置部件组成 | 第68-69页 |
| 3.4 有益效果及具体实施方式 | 第69-88页 |
| 3.4.1 有益效果 | 第69页 |
| 3.4.2 附图说明 | 第69-70页 |
| 3.4.3 具体实施方式 | 第70-76页 |
| 3.4.4 附图 | 第76-88页 |
| 3.5 本章小结 | 第88-89页 |
| 第四章 氧化物WO_3的制备及其表征 | 第89-105页 |
| 4.1 WO_3薄膜的制备方法 | 第89-91页 |
| 4.2 磁控溅射设备 | 第91-92页 |
| 4.3 磁控溅射原理 | 第92-93页 |
| 4.4 薄膜的表征 | 第93-102页 |
| 4.4.1 X射线衍射物相分析（XRD） | 第93-95页 |
| 4.4.2 扫描电子显微镜（SEM） | 第95-96页 |
| 4.4.3 循环伏安特性 | 第96-97页 |
| 4.4.4 计时电流 | 第97-98页 |
| 4.4.5 膜厚测量 | 第98-101页 |
| 4.4.6 透射谱 | 第101-102页 |
| 4.5 本章小结 | 第102-105页 |
| 第五章 氧化物及阳极氧化铝有序孔结构 | 第105-125页 |
| 5.1 氧化物及阳极氧化铝有序孔结构的制备与应用研究 | 第105-109页 |
| 5.1.1 纳米材料的提出与发展 | 第105-107页 |
| 5.1.2 纳米材料的制备 | 第107-109页 |
| 5.1.3 模板法制备纳米材料的过程 | 第109页 |
| 5.2 阳极氧化铝有序孔模板的制备 | 第109-113页 |
| 5.3 实验材料及仪器 | 第113-120页 |
| 5.3.1 试剂与原料 | 第113页 |
| 5.3.2 仪器与设备 | 第113-114页 |
| 5.3.3 铝片的预处理 | 第114-115页 |
| 5.3.4 阳极氧化铝模板的制备 | 第115-117页 |
| 5.3.5 不同条件制备阳极氧化铝的形貌对比 | 第117-120页 |
| 5.4 氧化物阳极氧化有序孔中的ZnO | 第120-122页 |
| 5.4.1 ZnO薄膜的制备 | 第120-121页 |
| 5.4.2 ZnO薄膜的表征 | 第121-122页 |
| 5.5 氧化物阳极氧化有序孔中的TiO_2 | 第122-124页 |
| 5.5.1 TiO_2薄膜的制备 | 第122-123页 |
| 5.5.2 TiO_2薄膜的表征 | 第123-124页 |
| 5.6 本章小结 | 第124-125页 |
| 第六章 总结 | 第125-127页 |
| 参考文献 | 第127-149页 |
| 作者简介及科研成果 | 第149-151页 |
| 致谢 | 第151页 |
