基于SiC晶体材料的非侵入式测温技术研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第8-10页 |
| 1.2 测温技术的现状和发展趋势 | 第10-14页 |
| 1.3 课题来源和主要研究内容 | 第14-16页 |
| 第二章 SiC晶体的性质、缺陷及分析方法 | 第16-29页 |
| 2.1 SiC的基本性质 | 第16-19页 |
| 2.2 晶体材料的缺陷 | 第19-22页 |
| 2.3 SiC晶体的材料分析方法 | 第22-29页 |
| 第三章 SiC测温技术及试验 | 第29-53页 |
| 3.1 SiC晶体测温原理 | 第29-30页 |
| 3.2 测温晶体的材料选取 | 第30-33页 |
| 3.3 中子辐照与缺陷回复 | 第33-39页 |
| 3.4 测温晶体的温度判读 | 第39-50页 |
| 3.4.1 测温晶体的分析方法 | 第39-44页 |
| 3.4.2 测温晶体的表征参数 | 第44-48页 |
| 3.4.3 测温晶体的定标曲线 | 第48-50页 |
| 3.5 测温晶体的应用试验 | 第50-53页 |
| 3.5.4 试验方案 | 第50页 |
| 3.5.5 试验实施 | 第50-52页 |
| 3.5.6 数据分析 | 第52-53页 |
| 第四章 工作总结 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
