| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第10-11页 |
| 1.2 Ⅲ族氮化物半导体材料的基本性质 | 第11-13页 |
| 1.3 LED的工作原理与制备工艺 | 第13-14页 |
| 1.3.1 LED的工作原理 | 第13-14页 |
| 1.3.2 LED的制备工艺 | 第14页 |
| 1.4 半导体材料的外延生长工艺 | 第14-16页 |
| 1.5 绿光LED的发展现状 | 第16页 |
| 1.6 本论文的主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 实验设备及表征方法 | 第18-26页 |
| 2.1 外延生长设备及器件制作工艺设备 | 第18-20页 |
| 2.1.1 外延生长MOCVD设备 | 第18-19页 |
| 2.1.2 电感耦合等离子体刻蚀及光刻设备 | 第19-20页 |
| 2.1.3 蒸镀设备 | 第20页 |
| 2.2 表征方法 | 第20-26页 |
| 2.2.1 X射线衍射技术(X-Ray Diffraction,XRD) | 第20-22页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscopy,SEM) | 第22页 |
| 2.2.3 原子力显微镜(Atomic Force Microscope,AFM) | 第22-23页 |
| 2.2.4 光致发光(Photoluminescence,PL) | 第23-24页 |
| 2.2.5 电致发光(Electroluminescent, EL) | 第24-25页 |
| 2.2.6 拉曼光谱测试(Raman) | 第25-26页 |
| 第三章 SiC衬底上高质量GaN模板的外延生长 | 第26-51页 |
| 3.1 GaN模板的衬底选择和处理 | 第26-30页 |
| 3.1.1 GaN模板的衬底选择 | 第26-28页 |
| 3.1.2 衬底的切割处理 | 第28-30页 |
| 3.1.3 衬底的清洗处理 | 第30页 |
| 3.2 AlN缓冲层对GaN模板的影响 | 第30-36页 |
| 3.3 梯度AlGaN缓冲层对GaN模板的影响 | 第36-45页 |
| 3.4 SiN_x插入层对GaN模板的影响 | 第45-49页 |
| 3.5 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 InGaN/GaN量子阱绿光LED的制备 | 第51-66页 |
| 4.1 InGaN/GaN量子阱绿光LED的结构设计 | 第51-53页 |
| 4.2 绿光LED材料特性的分析与研究 | 第53-57页 |
| 4.3 InGaN/GaN量子阱绿光LED电极的选取及制备 | 第57-62页 |
| 4.4 绿光LED电学性质的分析与研究 | 第62-65页 |
| 4.5 本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 总结 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 作者简介 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73页 |
