| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 分子电子学的研究和发展 | 第10-14页 |
| 1.1 分子器件起源 | 第10-11页 |
| 1.2 单分子器件发展的实践基础 | 第11-12页 |
| 1.3 分子电子学的研究内容和应用 | 第12-13页 |
| 1.4 研究本文的意义 | 第13-14页 |
| 第二章 新型单分子结输运计算理论 | 第14-23页 |
| 2.1 引言 | 第14页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第14-17页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第14-15页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第15-16页 |
| 2.2.3 交换关联泛函 | 第16-17页 |
| 2.3 第一性原理 | 第17页 |
| 2.4 非平衡格林函数方法 | 第17-18页 |
| 2.5 电子输运性质的第一性原理计算 | 第18-21页 |
| 2.5.1 勒让德(Landauer-Bnttike)公式 | 第18-19页 |
| 2.5.2 输运计算方案 | 第19-21页 |
| 2.6 计算程序简介 | 第21-23页 |
| 第三章 分子整流器计算模拟 | 第23-38页 |
| 3.1 分子整流器制备 | 第23-25页 |
| 3.1.1 引言 | 第23页 |
| 3.1.2 分子整流器的制备要求 | 第23-24页 |
| 3.1.3 分子整流器件的制作工艺 | 第24-25页 |
| 3.2 常见分子整流类型 | 第25-30页 |
| 3.2.1 引言 | 第25页 |
| 3.2.2 D-σ-A型分子整流 | 第25-26页 |
| 3.2.3 D-π-A型分子整流 | 第26-28页 |
| 3.2.4 D-s-A型分子整流 | 第28页 |
| 3.2.5 D-A型分子整流 | 第28-30页 |
| 3.3 新型单分子整流器 | 第30-37页 |
| 3.3.1 引言 | 第30-31页 |
| 3.3.2 计算模型示意图 | 第31-32页 |
| 3.3.3 电流-电压曲线分析 | 第32-34页 |
| 3.3.4 透射谱分析 | 第34-36页 |
| 3.3.5 电子轨道分布分析 | 第36-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 接触对称性对单分子结输运性质的影响 | 第38-49页 |
| 4.1 引言 | 第38-39页 |
| 4.2 分子开关介绍 | 第39-40页 |
| 4.2.1 分子马达 | 第39页 |
| 4.2.2 分子开关 | 第39-40页 |
| 4.3 计算模型和方法 | 第40-41页 |
| 4.4 计算结果讨论与分析 | 第41-47页 |
| 4.4.1 电流-电压曲线分析 | 第41-44页 |
| 4.4.2 透射谱分析 | 第44-46页 |
| 4.4.3 局部态密度(PDOS)分析 | 第46-47页 |
| 4.5 本章小结 | 第47-49页 |
| 第五章 总结和展望 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-60页 |
| 致谢 | 第60-62页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文 | 第62页 |