飞秒激光制备掺杂黑硅及其光电特性的研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 黑硅材料简介 | 第10-11页 |
| 1.2 飞秒激光制备黑硅国内外研究现状 | 第11-19页 |
| 1.3 掺杂黑硅的应用 | 第19-20页 |
| 1.4 课题研究意义与主要研究内容 | 第20-22页 |
| 1.4.1 课题研究意义 | 第20页 |
| 1.4.2 本文主要内容 | 第20-22页 |
| 第二章 实验原理与制备方法 | 第22-35页 |
| 2.1 实验原理 | 第22-25页 |
| 2.1.1 飞秒激光与固体相互作用 | 第22-23页 |
| 2.1.2 飞秒激光与硅相互作用 | 第23-25页 |
| 2.2 实验仪器和药品 | 第25-26页 |
| 2.3 掺杂黑硅的制备 | 第26-30页 |
| 2.3.1 样品准备 | 第27-29页 |
| 2.3.1.1 硅片清洗 | 第27页 |
| 2.3.1.2 热蒸发蒸镀硒膜 | 第27-28页 |
| 2.3.1.3 磁控溅射镀硅膜 | 第28-29页 |
| 2.3.2 飞秒激光辐照制备黑硅 | 第29-30页 |
| 2.4 黑硅形貌表征与分析 | 第30-34页 |
| 2.4.1 脉冲数目对掺杂黑硅表面形貌的影响 | 第30-32页 |
| 2.4.2 硒膜厚度对掺杂黑硅表面形貌的影响 | 第32-34页 |
| 2.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 硒掺杂黑硅的光学性能研究 | 第35-44页 |
| 3.1 测试设备与测试方法 | 第35-36页 |
| 3.2 掺杂黑硅光学特性 | 第36-43页 |
| 3.2.1 硒掺杂对黑硅光学特性的影响 | 第37-40页 |
| 3.2.2 脉冲数目对掺杂黑硅光学特性的影响 | 第40-42页 |
| 3.2.3 硒膜厚度对掺杂黑硅光学特性的影响 | 第42-43页 |
| 3.3 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 硒掺杂黑硅的电学性能研究 | 第44-51页 |
| 4.1 样品制备 | 第44-46页 |
| 4.2 霍尔效应测试原理 | 第46-47页 |
| 4.3 实验结果分析与讨论 | 第47-50页 |
| 4.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 硒掺杂黑硅探测器光电响应测试与研究 | 第51-61页 |
| 5.1 光电探测器工作原理 | 第51-53页 |
| 5.2 n~+-n光电探测器的制备 | 第53-54页 |
| 5.3 掺杂黑硅n~+-n型探测器光电响应特性 | 第54-60页 |
| 5.3.1 脉冲数目对光电响应特性的影响 | 第54-57页 |
| 5.3.2 硒膜厚度对光电响应特性的影响 | 第57-60页 |
| 5.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第六章 总结与展望 | 第61-64页 |
| 6.1 总结 | 第61-62页 |
| 6.2 展望 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第69-70页 |
