| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第12-20页 |
| 1.1 课题背景 | 第12-13页 |
| 1.2 IGBT器件发展 | 第13-17页 |
| 1.3 IGBT的应用前景及选题意义 | 第17-18页 |
| 1.4 论文研究的主要内容 | 第18-20页 |
| 第2章 Trench IGBT的基本特性和超结理论分析 | 第20-30页 |
| 2.1 TnchIGBT的结构和工作原理 | 第20-21页 |
| 2.2 TrenchIGBT的静态特性 | 第21-26页 |
| 2.2.1 Trench IGBT的正向阻断特性 | 第21-23页 |
| 2.2.2 TrenchIGBT器件转移特性 | 第23-24页 |
| 2.2.3 TrenchIGBT器件正向导通特性 | 第24-26页 |
| 2.3 TrenchIGBT的动态特性 | 第26-28页 |
| 2.4 超结理论分析 | 第28-29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 第3章 SJ-IGBT特性分析与研究 | 第30-44页 |
| 3.1 SJ-IGBT结构与原理 | 第30-31页 |
| 3.2 SJ-IGBT阻断特性分析 | 第31-36页 |
| 3.2.1 SJ-IGBT正向阻断特性 | 第32-33页 |
| 3.2.2 柱区浓度和厚度对SJ-IGBT正向阻断耐压的影响 | 第33-35页 |
| 3.2.3 柱区非平衡状态下对SJ-IGBT正向阻断耐压的影响 | 第35-36页 |
| 3.3 SJ-IGBT正向导通特性分析 | 第36-39页 |
| 3.3.1 柱区掺杂浓度对SJ-IGBT正向导通的影响 | 第37-39页 |
| 3.3.2 FS区掺杂浓度对SJ-IGBT正向导通的影响 | 第39页 |
| 3.4 SJ-IGBT动态特性分析 | 第39-42页 |
| 3.4.1 SJ-IGBT关断分析 | 第41页 |
| 3.4.2 柱区掺杂浓度对SJ-IGBT关断的影响 | 第41-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-44页 |
| 第4章 Semi SJ-IGBT特胜分析与研究 | 第44-54页 |
| 4.1 Semi SJ-IGBT结构分析 | 第44-45页 |
| 4.2 Semi SJ-IGBT特性分析 | 第45-49页 |
| 4.2.1 柱区厚度对Semi SJ-IGBT正向阻断耐压的影响 | 第45-46页 |
| 4.2.2 Semi SJ-IGBT导通特性分析 | 第46-48页 |
| 4.2.3 Semi SJ-IGBT关断特性分析 | 第48-49页 |
| 4.3 具有N阻挡层的Semi SJ-IGBT特性分析 | 第49-53页 |
| 4.3.1 N阻挡层的工作机理 | 第50页 |
| 4.3.2 N阻挡层对正向阻断特性的影响 | 第50-51页 |
| 4.3.3 N阻挡层对正向导通特性的影响 | 第51-53页 |
| 4.3.4 N阻挡层对关断特性的影响 | 第53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第5章 改进型Semi SJ-IGBT器件研究 | 第54-69页 |
| 5.1 NSemi SJ-IGBT结构和原理分析 | 第54-55页 |
| 5.2 器件性能分析 | 第55-59页 |
| 5.2.1 器件阻断特性分析 | 第55-56页 |
| 5.2.2 器件正向特性分析 | 第56-57页 |
| 5.2.3 器件关断特性分析 | 第57-59页 |
| 5.3 NSemi SJ-IGBT结构优化 | 第59-62页 |
| 5.4 HSemi SJ-IGBT结构和原理分析 | 第62-63页 |
| 5.5 HSemi SJ-IGBT器件性能分析 | 第63-65页 |
| 5.5.1 器件阻断特性分析 | 第63页 |
| 5.5.2 器件正向导通特性分析 | 第63-64页 |
| 5.5.3 器件关断特性分析 | 第64-65页 |
| 5.6 HSemi SJ-IGBT结构优化 | 第65-68页 |
| 5.7 本章小结 | 第68-69页 |
| 结论 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 攻渎学位期间发表的论文 | 第75页 |
