| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第13-29页 |
| 1.1 引言 | 第13-15页 |
| 1.2 限定和约束 | 第15-17页 |
| 1.3 基体/自由表面界面作用 | 第17-21页 |
| 1.3.1 基体和自由表面修饰方法 | 第17-18页 |
| 1.3.2 中性基体/自由表面场 | 第18-19页 |
| 1.3.3 梯度法 | 第19-21页 |
| 1.4 溶剂蒸汽退火 | 第21-25页 |
| 1.4.1 溶剂选择 | 第22-23页 |
| 1.4.2 退火处理时间 | 第23-24页 |
| 1.4.3 溶剂移除速率 | 第24-25页 |
| 1.5 本体材料的研究 | 第25-27页 |
| 1.6 结论 | 第27-29页 |
| 第二章 控制薄膜厚度的因素 | 第29-37页 |
| 2.1 引言 | 第29页 |
| 2.2 实验部分 | 第29-33页 |
| 2.2.1 薄膜制备 | 第29-30页 |
| 2.2.2 实验设计 | 第30-32页 |
| 2.2.3 数据拟合 | 第32-33页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第33-35页 |
| 2.4 结论 | 第35-37页 |
| 第三章 常温下混合溶剂和氧化石墨烯诱导产生纳米图案 | 第37-49页 |
| 3.1 引言 | 第37-38页 |
| 3.2 实验部分 | 第38-39页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第39-46页 |
| 3.3.1 溶剂的选择和配比 | 第39-40页 |
| 3.3.2 氧化石墨烯基底修饰 | 第40-42页 |
| 3.3.3 混合溶剂和石墨烯基底修饰的共同作用 | 第42-46页 |
| 3.4 结论 | 第46-49页 |
| 第四章 不同溶剂挥发成膜对本体相形貌和相转变的影响 | 第49-57页 |
| 4.1 引言 | 第49页 |
| 4.2 实验部分 | 第49-50页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第50-55页 |
| 4.3.1 实空间——相形貌分析 | 第50-53页 |
| 4.3.2 倒易空间——SAXS分析 | 第53-55页 |
| 4.3.3 相转变过程分析 | 第55页 |
| 4.4 结论 | 第55-57页 |
| 第五章 本体同源纳米孔诱导片层定向排列 | 第57-71页 |
| 5.1 引言 | 第57-58页 |
| 5.2 实验部分 | 第58-60页 |
| 5.2.1 材料和样品制备 | 第58页 |
| 5.2.2 小角X射线散射(SAXS) | 第58-59页 |
| 5.2.3 数据处理(三相模型) | 第59-60页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第60-70页 |
| 5.3.1 存在纳米孔洞的确证 | 第61-62页 |
| 5.3.2 纳米孔洞对相转变的影响 | 第62-65页 |
| 5.3.3 纳米孔洞扩展和片层生长 | 第65-69页 |
| 5.3.4 不变量Q和纳米孔洞的计算 | 第69-70页 |
| 5.4 结论 | 第70-71页 |
| 结论 | 第71-75页 |
| 参考文献 | 第75-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第86-88页 |