| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| 1.1 阻变存储器(RRAM)的概念 | 第8-11页 |
| 1.1.1 RRAM的基本操作 | 第9-10页 |
| 1.1.2 RRAM的性能指标 | 第10-11页 |
| 1.2 阻变存储器存储机制 | 第11-14页 |
| 1.2.1 离子阻变类型 | 第11-12页 |
| 1.2.2 电子阻变类型 | 第12-14页 |
| 1.3 电子型阻变器件的发展 | 第14-15页 |
| 1.4 掺杂对阻变存储器的影响 | 第15页 |
| 1.5 研究内容及研究意义 | 第15-17页 |
| 第二章 薄膜制备技术以及表征技术 | 第17-21页 |
| 2.1 薄膜沉积设备介绍及其原理 | 第17-19页 |
| 2.1.1 阻变层溅射设备—沉积离子掺杂的氧化钛介质层 | 第17-18页 |
| 2.1.2 高真空电子束蒸发设备—沉积Al电极 | 第18页 |
| 2.1.3 阻变层溅射设备—沉积氧化钽介质层、钽电极和钛插层 | 第18-19页 |
| 2.2 薄膜特性表征设备 | 第19-21页 |
| 2.2.1 椭圆偏振光谱仪 | 第19页 |
| 2.2.2 半导体参数分析仪 | 第19-21页 |
| 第三章 Al、Si、V离子掺杂对ATA结构电子型阻变器件的性能影响 | 第21-36页 |
| 3.1 未掺杂的ATA结构电子型阻变器件的性能特性 | 第21-23页 |
| 3.2 掺杂Al离子的ATA结构电子型阻变器件的性能特性 | 第23-27页 |
| 3.3 掺杂Si离子的ATA结构电子型阻变器件的性能特性 | 第27-31页 |
| 3.4 掺杂V离子的ATA结构电子型阻变器件的性能特性 | 第31-32页 |
| 3.5 离子掺杂对ATA结构阻变存储器的Retention性能影响 | 第32-35页 |
| 3.6 本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 Al、Si、V离子掺杂对ATA结构电子型阻变器件的机理研究 | 第36-45页 |
| 4.1 ATA结构电子型阻变器件的传输机制 | 第36-38页 |
| 4.2 掺杂不同离子的ATA结构电子型阻变器件的活化能 | 第38-44页 |
| 4.3 本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 ATA结构电子型阻变器件与离子型阻变器件的性能对比 | 第45-51页 |
| 5.1 氧化钽基离子型阻变器件的制备与优化 | 第45-47页 |
| 5.2 氧化钽基离子型阻变器件的表征 | 第47-48页 |
| 5.3 Al掺杂的电子型器件与氧化钽基离子型器件性能对比 | 第48-50页 |
| 5.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第六章 总结与展望 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
