| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第12-30页 |
| 1.1 铁电材料简介 | 第12-16页 |
| 1.1.1 铁电体物理的基本概念 | 第12-14页 |
| 1.1.2 铁电材料的应用 | 第14-16页 |
| 1.2 阻变存储器(RRAM)的研究进展 | 第16-20页 |
| 1.2.1 RRAM器件的阻变行为 | 第16-18页 |
| 1.2.2 阻变行为的机理研究 | 第18-20页 |
| 1.3 PVDF基铁电聚合物简介 | 第20-22页 |
| 1.3.1 PVDF的结晶结构 | 第20-21页 |
| 1.3.2 P(VDF-TrFE)的发展及其铁电性来源 | 第21页 |
| 1.3.3 铁电聚合物在数据存储中的应用 | 第21-22页 |
| 1.4 TiO_2简介 | 第22-24页 |
| 1.4.1 TiO_2的结构和物理性质 | 第22-23页 |
| 1.4.2 TiO_2在阻变存储中的应用 | 第23-24页 |
| 1.5 论文研究意义及研究内容 | 第24-26页 |
| 参考文献 | 第26-30页 |
| 第二章 样品制备与表征 | 第30-41页 |
| 2.1 P(VDF-TrFE)薄膜制备 | 第30-31页 |
| 2.1.1 实验药品及仪器 | 第30页 |
| 2.1.2 旋涂法制备P(VDF-TrFE)薄膜的工艺流程 | 第30-31页 |
| 2.2 FePt纳米晶的制备 | 第31-32页 |
| 2.2.1 实验药品及仪器 | 第31页 |
| 2.2.2 溶液法合成FePt纳米晶的工艺流程 | 第31-32页 |
| 2.2.3 旋涂法制备FePt：P(VDF-TrFE)复合薄膜的工艺流程 | 第32页 |
| 2.3 Pb(Zr0.52Ti0.48)O3靶材的烧制 | 第32-34页 |
| 2.4 PLD法制备TiOx和PZT薄膜 | 第34-36页 |
| 2.5 样品表征方法 | 第36-41页 |
| 2.5.1 微结构表征 | 第36-37页 |
| 2.5.2 表面形貌测试 | 第37-40页 |
| 2.5.3 电学性质测试 | 第40-41页 |
| 第三章 对P(VDF-TrFE)掺杂FePt纳米晶后的阻变性能研究 | 第41-49页 |
| 3.1 FePt纳米晶表征 | 第41页 |
| 3.2 P(VDF-TrFE)薄膜表征 | 第41-45页 |
| 3.2.1 膜厚的确定 | 第41-43页 |
| 3.2.2 退火温度对样品表面形貌和结晶的影响 | 第43-44页 |
| 3.2.3 P(VDF-TrFE)薄膜铁电性测试 | 第44-45页 |
| 3.3 FePt：P(VDF-TrFE)复合薄膜的表征 | 第45-47页 |
| 3.4 FePt：P(VDF-TrFE)薄膜研究中的问题 | 第47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-49页 |
| 第四章 Pt/TiO_x/PZT/LSMO器件的制备工艺研究和表征 | 第49-61页 |
| 4.1 PZT薄膜表征 | 第49-51页 |
| 4.1.1 AFM表征 | 第49页 |
| 4.1.2 结晶与铁电性质表征 | 第49-50页 |
| 4.1.3 阻变性质 | 第50-51页 |
| 4.2 TiO_x薄膜表征 | 第51-53页 |
| 4.2.1 AFM表征 | 第51-52页 |
| 4.2.2 XRD表征 | 第52-53页 |
| 4.2.3 阻变性质 | 第53页 |
| 4.3 器件制备工艺研究 | 第53-58页 |
| 4.3.1 TiO_x膜层的制备温度对器件阻变性质的影响 | 第53-55页 |
| 4.3.2 TiO_x膜层的制备氧压对器件阻变性质的影响 | 第55-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-61页 |
| 第五章 结论与展望 | 第61-63页 |
| 5.1 结论 | 第61-62页 |
| 5.1.1 对P(VDF-TrFE)掺杂FePt纳米晶后的阻变性能研究 | 第61页 |
| 5.1.2 Pt/TiO_x/PZT/LSMO器件的制备工艺研究和表征 | 第61-62页 |
| 5.2 今后工作展望 | 第62-63页 |
| 5.2.1 对P(VDF-TrFE)掺杂FePt纳米晶后的阻变性能研究 | 第62页 |
| 5.2.2 Pt/TiO_x/PZT/LSMO器件的制备工艺研究 | 第62-63页 |
| 硕士期间发表论文 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
