| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 1 绪论 | 第15-23页 |
| 1.1 NEA光电阴极发展概述 | 第15-16页 |
| 1.2 AlGaAs光电阴极的研究现状 | 第16-20页 |
| 1.2.1 AlGaAs光电阴极的制备工艺 | 第18-20页 |
| 1.2.2 AlGaAs光电阴极的应用 | 第20页 |
| 1.3 本文研究意义和背景 | 第20-21页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第21-23页 |
| 2 研究方法与理论基础 | 第23-30页 |
| 2.1 引言 | 第23页 |
| 2.2 第一性原理理论基础 | 第23-28页 |
| 2.2.1 密度泛函理论（DFT） | 第23-24页 |
| 2.2.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第24页 |
| 2.2.3 Kohn-Sham方程 | 第24-25页 |
| 2.2.4 局域密度近似(LDA) | 第25页 |
| 2.2.5 广义梯度近似(GGA) | 第25-27页 |
| 2.2.6 平面波赝势法 | 第27-28页 |
| 2.3 第一性原理计算软件（CASTEP） | 第28-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 3 理想Al_(0.5)Ga_(0.5)As电子结构与光学性质的理论研究 | 第30-39页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 Al_(0.5)Ga_(0.5)As电子结构和光学性质 | 第30-38页 |
| 3.2.1 理论模型和计算方法 | 第30-31页 |
| 3.2.2 体材料电学性质分析 | 第31-33页 |
| 3.2.3 体材料光学性质分析 | 第33-38页 |
| 3.3 本章小结 | 第38-39页 |
| 4 Zn掺杂、Al组分对Al_xGa_(1-x)As光电性质影响研究 | 第39-46页 |
| 4.1 引言 | 第39页 |
| 4.2 Zn掺杂对Al_(0.5)Ga_(0.5)As光电性质的影响 | 第39-42页 |
| 4.2.1 理论模型和计算方法 | 第39-40页 |
| 4.2.2 稳定性 | 第40页 |
| 4.2.3 成键结构与电荷布居 | 第40-41页 |
| 4.2.4 能带结构 | 第41-42页 |
| 4.3 Al组分对Al_xGa_(1-x)As光电性质的影响 | 第42-45页 |
| 4.3.1 理论模型和计算方法 | 第42页 |
| 4.3.2 形成能与稳定性 | 第42-43页 |
| 4.3.3 能带带隙和能带结构 | 第43-44页 |
| 4.3.4 反射谱 | 第44-45页 |
| 4.3.5 能量损失函数 | 第45页 |
| 4.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 5 表面Cs原子吸附特性研究 | 第46-59页 |
| 5.1 引言 | 第46-48页 |
| 5.2 Cs原子吸附模型对比分析 | 第48-57页 |
| 5.2.1 理论模型和计算参数 | 第48-50页 |
| 5.2.2 表面吸附能 | 第50-52页 |
| 5.2.3 功函数和偶极矩 | 第52-55页 |
| 5.2.4 光电流曲线 | 第55-57页 |
| 5.3 本章小结 | 第57-59页 |
| 6 总结与展望 | 第59-62页 |
| 6.1 总结 | 第59-61页 |
| 6.2 展望 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 作者简历 | 第68-70页 |
