首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--真空电子技术论文--一般性问题论文--结构和元部件论文

强磁场对典型电子器件影响机理的研究

摘要第1-4页
Abstract第4-8页
第一章 绪论第8-11页
   ·研究背景第8-9页
   ·研究方法第9页
   ·研究内容第9-10页
   ·本课题研究的意义第10-11页
第二章 实验设备及实验方法简介第11-18页
   ·主要仪器设备第11-15页
     ·电磁铁及其标定第11-12页
     ·脉冲磁场及标定第12-14页
     ·交变磁场第14-15页
   ·测试方法简介第15-18页
     ·恒磁场下的测试第15-16页
     ·脉冲磁场下的测试第16-17页
     ·交变磁场中的测试第17-18页
第三章 强磁场对典型半导体元器件影响机理研究第18-36页
   ·强磁场对二极管工作状态的影响第18-28页
     ·恒磁场对二极管的工作状态的影响第18-20页
     ·脉冲磁场对二极管工作状态的影响第20-21页
     ·交变磁场对二极管工作状态的影响第21-22页
     ·磁场对二极管影响机理的分析第22-28页
   ·强磁场对三极管工作状态的影响第28-32页
   ·强磁场对电容和电阻工作状态的影响第32-36页
第四章 磁场对典型的电子电路及磁敏器件工作状态的影响的研究第36-47页
   ·磁场对典型电子线路工作状态的影响的研究第36-42页
     ·NE555多谐振荡电路第36-38页
     ·OP07同相比例运算电路第38-40页
     ·51单片机系统第40-42页
   ·磁场对磁敏器件工作状态的研究第42-47页
     ·线性霍尔集成电路第42-44页
     ·集成开关型霍尔传感器第44-45页
     ·磁敏电阻第45-47页
第五章 磁敏部组件、元器件、电路针对强磁场的屏蔽第47-58页
   ·磁场屏蔽原理第47-50页
     ·低频磁场的屏蔽第47-48页
     ·高频磁场的屏蔽第48-50页
   ·低频磁场屏蔽实验第50-55页
   ·脉冲磁场屏蔽实验第55-58页
第六章 结论第58-60页
   ·主要结论第58-59页
   ·研究展望第59-60页
参考文献第60-62页
在学期间的研究成果第62-63页
致谢第63页

论文共63页,点击 下载论文
上一篇:高质量Cu(In,Ga)Se2薄膜的低成本制备工艺研究
下一篇:二维Yukawa系统熔化相变的研究