| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 选题背景和意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-14页 |
| 1.3 本文研究内容 | 第14-16页 |
| 第2章 压接式IGBT结构、工作原理及其基本特征 | 第16-26页 |
| 2.1 压接式IGBT的基本结构 | 第16-18页 |
| 2.2 IGBT的工作原理、基本特征及主要参数 | 第18-25页 |
| 2.2.1 IGBT的工作原理 | 第18-19页 |
| 2.2.2 IGBT的基本特性 | 第19-24页 |
| 2.2.3 IGBT的主要参数 | 第24-25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 并联IGBT芯片的均流特性分析 | 第26-46页 |
| 3.1 仿真设置 | 第26-28页 |
| 3.2 静态不均衡因素的仿真分析 | 第28-31页 |
| 3.3 动态不均衡因素的仿真分析 | 第31-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-46页 |
| 第4章 多芯片并联均流方法的研究 | 第46-61页 |
| 4.1 芯片的选择 | 第46-47页 |
| 4.2 IGBT芯片并联均流方法的研究 | 第47-54页 |
| 4.2.1 降额法 | 第47页 |
| 4.2.2 栅极电阻补偿法 | 第47-49页 |
| 4.2.3 多个参数匹配调节 | 第49-52页 |
| 4.2.4 布局优化 | 第52-54页 |
| 4.3 3300V/1500A的压接式IGBT器件仿真分析与调节 | 第54-60页 |
| 4.3.1 3300V/1500A的压接式IGBT结构介绍 | 第54-55页 |
| 4.3.2 器件内部寄生参数的提取 | 第55-56页 |
| 4.3.3 30个芯片并联的仿真分析 | 第56-58页 |
| 4.3.4 通过优化布局的方式改善均流特性 | 第58-60页 |
| 4.3.5 小结：开通过程中电流不均衡解决方法的总结 | 第60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第5章 结论与展望 | 第61-63页 |
| 5.1 结论 | 第61页 |
| 5.2 工作展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 附录A：3300V/1500A寄生参数 | 第67-78页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
