| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-28页 |
| ·Ⅱ-Ⅵ族和Ⅳ-Ⅵ族半导体纳米晶 | 第13-14页 |
| ·Ⅱ-Ⅵ族量子点的类型 | 第14-19页 |
| ·核壳结构 | 第14-16页 |
| ·合金结构 | 第16-18页 |
| ·金属离子掺杂结构 | 第18-19页 |
| ·量子点和纳米晶的应用 | 第19-22页 |
| ·生物医学 | 第19-20页 |
| ·光电材料 | 第20-22页 |
| ·光致发光器件(LED) | 第20-21页 |
| ·太阳能电池 | 第21页 |
| ·远程通讯放大器 | 第21-22页 |
| ·量子点和纳米晶的制备方法 | 第22-24页 |
| ·金属有机化学法 | 第22-23页 |
| ·水相回流合成法 | 第23-24页 |
| ·SnS纳米晶的制备方法 | 第24页 |
| ·热注入法合成机理 | 第24-25页 |
| ·本论文选题思路 | 第25-28页 |
| 第二章 水溶性CdSe_xTe_(1-x)/ZnS量子点的制备与性质 | 第28-48页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·实验部分 | 第28-32页 |
| ·主要试剂 | 第29页 |
| ·实验仪器 | 第29页 |
| ·量子点的制备 | 第29-31页 |
| ·表征方法 | 第31-32页 |
| ·X射线粉末衍射(XRD) | 第31页 |
| ·紫外-可见吸收光谱(UV-Vis) | 第31页 |
| ·荧光发射光谱(FL) | 第31页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第31-32页 |
| ·结果与讨论 | 第32-47页 |
| ·硒与碲不同摩尔比例对CdSe_xTe_(1-x)量子点的光学性质和结构的影响 | 第32-36页 |
| ·紫外-可见吸收光谱 | 第32-33页 |
| ·荧光发射光谱 | 第33-34页 |
| ·X射线粉末衍射光谱 | 第34-36页 |
| ·pH值对CdSe_xTe_(1-x)量子点的荧光性质影响 | 第36-38页 |
| ·回流时间对CdSe_xTe_(1-x)和CdSe_xTe_(1-x)/ZnS量子点的荧光性质影响 | 第38-40页 |
| ·ZnS层数对CdSe_xTe_(1-x)/ZnS量子点的荧光性质影响 | 第40-41页 |
| ·硒与碲摩尔比对CdSe_xTe_(1-x)/ZnS量子点的荧光性质影响 | 第41-42页 |
| ·硫源种类对CdSe_xTe_(1-x)/ZnS量子点的荧光性质影响 | 第42-44页 |
| ·陈化时间对CdSe_xTe_(1-x)/ZnS量子点的荧光性质影响 | 第44-46页 |
| ·CdSe_xTe_(1-x)/ZnS量子点的形貌 | 第46-47页 |
| ·小结 | 第47-48页 |
| 第三章 SnS纳米晶的制备及性质 | 第48-65页 |
| ·引言 | 第48-49页 |
| ·实验部分 | 第49-51页 |
| ·主要试剂 | 第49页 |
| ·实验仪器 | 第49-50页 |
| ·SnS纳米晶和SnS薄膜的制备 | 第50-51页 |
| ·表征方法 | 第51页 |
| ·X射线粉末衍射(XRD) | 第51页 |
| ·紫外-可见-近红外吸收光谱(UV-Vis-NIR) | 第51页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第51页 |
| ·结果与讨论 | 第51-63页 |
| ·SnS的X射线粉末衍射光谱 | 第51-52页 |
| ·SnS溶液的紫外-可见-近红外吸收光谱 | 第52-53页 |
| ·油酸和油胺的体积比对合成SnS的影响 | 第53-55页 |
| ·反应温度对合成SnS的影响 | 第55页 |
| ·前驱体浓度对合成SnS纳米晶的影响 | 第55-58页 |
| ·前驱体摩尔比例对合成SnS纳米晶的影响 | 第58-59页 |
| ·SnS薄膜的光电化学性质 | 第59-63页 |
| ·煅烧对SnS薄膜和SnS纳米晶的影响 | 第59-60页 |
| ·SnS薄膜的循环伏安性质 | 第60-61页 |
| ·SnS薄膜的线性扫描伏安性质 | 第61-62页 |
| ·煅烧温度对SnS薄膜的光电流影响 | 第62-63页 |
| ·小结 | 第63-65页 |
| 第四章 结论与展望 | 第65-67页 |
| ·结论 | 第65-66页 |
| ·展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-76页 |
| 论文情况 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
