| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-13页 |
| 1.1.1 氧化钒的结构、性能及应用 | 第10-12页 |
| 1.1.2 太赫兹波 | 第12-13页 |
| 1.2 氧化钒薄膜在太赫兹波段的国内外研究现状 | 第13-16页 |
| 1.3 论文选题意义以及主要内容 | 第16-17页 |
| 第二章 氧化钒薄膜的制备和表征 | 第17-23页 |
| 2.1 氧化钒薄膜的制备 | 第17-18页 |
| 2.1.1 基片清洗 | 第17页 |
| 2.1.2 氧化钒薄膜的制备方法 | 第17-18页 |
| 2.2 薄膜的形成和生长 | 第18-20页 |
| 2.3 氧化钒薄膜的表征 | 第20-22页 |
| 2.3.1 X射线衍射仪 | 第20页 |
| 2.3.2 X射线光电子能谱仪 | 第20-21页 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜 | 第21页 |
| 2.3.4 傅里叶变换红外光谱分析仪 | 第21-22页 |
| 2.3.5 四探针测试仪 | 第22页 |
| 2.4 小结 | 第22-23页 |
| 第三章 相变氧化钒薄膜的制备及太赫兹调制深度的探究 | 第23-45页 |
| 3.1 引言 | 第23页 |
| 3.2 工艺参数对氧化钒薄膜相变性能的影响 | 第23-33页 |
| 3.2.1 反应氧流量对氧化钒薄膜性能的影响 | 第23-29页 |
| 3.2.1.1 薄膜的制备 | 第23-24页 |
| 3.2.1.2 反应氧流量对薄膜电学性能的影响 | 第24-26页 |
| 3.2.1.3 反应氧流量对薄膜光学性能的影响 | 第26-29页 |
| 3.2.2 溅射电流对氧化钒薄膜性能的影响 | 第29-33页 |
| 3.2.2.1 薄膜的制备 | 第29页 |
| 3.2.2.2 溅射电流对薄膜电学性能的影响 | 第29-31页 |
| 3.2.2.3 溅射电流对薄膜光学性能的影响 | 第31-33页 |
| 3.3 靶表面状态对氧化钒薄膜太赫兹调制深度的影响 | 第33-44页 |
| 3.3.1 薄膜的制备 | 第35-36页 |
| 3.3.2 样品S1、S2及S3的XRD分析 | 第36-37页 |
| 3.3.3 样品S1、S2及S3的XPS分析 | 第37-39页 |
| 3.3.4 样品S1、S2及S3的SEM分析 | 第39-40页 |
| 3.3.5 样品S1、S2及S3的电学性能分析 | 第40-42页 |
| 3.3.6 样品S1、S2及S3的光学性能分析 | 第42-44页 |
| 3.4 小结 | 第44-45页 |
| 第四章 掺杂（Mo/W）氧化钒的制备及太赫兹调制性能研究 | 第45-61页 |
| 4.1 引言 | 第45页 |
| 4.2 掺Mo对氧化钒薄膜性能的影响 | 第45-50页 |
| 4.2.1 掺Mo氧化钒薄膜的制备 | 第45-47页 |
| 4.2.2 掺Mo氧化钒薄膜的电学MIT性能 | 第47-48页 |
| 4.2.3 掺Mo氧化钒薄膜的光学MIT性能 | 第48-50页 |
| 4.3 掺W对氧化钒薄膜的MIT性能的影响 | 第50-59页 |
| 4.3.1 掺W氧化钒薄膜的制备 | 第50-51页 |
| 4.3.2 掺W氧化钒薄膜的电学MIT性能 | 第51-52页 |
| 4.3.3 掺W氧化钒薄膜的光学MIT性能 | 第52-54页 |
| 4.3.4 样品S1、S3的XRD分析 | 第54-56页 |
| 4.3.5 样品S1、S3的XPS分析 | 第56-58页 |
| 4.3.6 样品S1、S3的SEM分析 | 第58-59页 |
| 4.4 掺杂（Mo/W）对氧化钒性能影响的异同 | 第59页 |
| 4.5 小结 | 第59-61页 |
| 第五章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 5.1 总结 | 第61页 |
| 5.2 展望 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第70-71页 |
