| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-37页 |
| ·引言 | 第13-14页 |
| ·忆阻器及纳米电离子学 | 第14-19页 |
| ·忆阻器的阻变机制 | 第19-24页 |
| ·离子效应 | 第20-23页 |
| ·电子效应 | 第23页 |
| ·热效应 | 第23-24页 |
| ·WO_3的结构与性质 | 第24-29页 |
| ·h-WO_3的晶体结构 | 第25-27页 |
| ·h-WO_3的能带结构 | 第27-29页 |
| ·WO_3纳米结构的应用 | 第29-34页 |
| ·在忆阻器方面的应用 | 第29-33页 |
| ·在光解水方面的应用 | 第33-34页 |
| ·本文选题的依据及研究内容 | 第34-37页 |
| 第二章 氧空位迁移实现可重构的WO_3纳米线整流器 | 第37-53页 |
| ·研究背景 | 第37-38页 |
| ·实验过程 | 第38-41页 |
| ·实验设备及试剂 | 第38页 |
| ·纳米线制备 | 第38-39页 |
| ·纳米线表征 | 第39页 |
| ·器件构筑及电学测试 | 第39-41页 |
| ·结果与分析 | 第41-51页 |
| ·h-WO_3纳米线表征 | 第41-43页 |
| ·h-WO_3的忆阻效应 | 第43-47页 |
| ·可重构的单向整流效应 | 第47-50页 |
| ·稳定性分析 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第三章 氢离子格罗特胡斯迁移增强WO_3纳米线的忆阻性能 | 第53-67页 |
| ·研究背景 | 第53页 |
| ·实验过程 | 第53-54页 |
| ·结果与分析 | 第54-64页 |
| ·相对湿度对忆阻性能的影响 | 第54-57页 |
| ·扫描电压值对忆阻性能的影响 | 第57页 |
| ·扫描电压顺序对忆阻性能的影响 | 第57-58页 |
| ·格罗特胡斯机理增强忆阻性能 | 第58-64页 |
| ·本章小结 | 第64-67页 |
| 第四章 水氧化的氢离子调控WO_3纳米线的忆阻性能 | 第67-83页 |
| ·研究背景 | 第67页 |
| ·实验过程 | 第67-68页 |
| ·结果与分析 | 第68-81页 |
| ·h-WO_3纳米线表征 | 第68-69页 |
| ·不同湿度下偏压重复扫描对器件电学性能的影响 | 第69-73页 |
| ·扫描偏压值对器件电学性能的影响 | 第73-74页 |
| ·不同波长光辐照后器件电学性能变化 | 第74-77页 |
| ·氧吸附调控氢钨青铜中氢离子浓度 | 第77页 |
| ·氢钨青铜纳米线单极性和双极性阻变效应 | 第77-79页 |
| ·低湿度下偏压扫描调控氢离子浓度 | 第79-81页 |
| ·本章小结 | 第81-83页 |
| 第五章 SmB_6纳米线的可控制备及其表面态研究 | 第83-93页 |
| ·研究背景 | 第83-84页 |
| ·实验过程 | 第84-85页 |
| ·材料制备 | 第84-85页 |
| ·样品表征 | 第85页 |
| ·结果与分析 | 第85-91页 |
| ·形貌表征 | 第85-87页 |
| ·结构表征 | 第87-88页 |
| ·生长机理 | 第88-90页 |
| ·低温电输运测试 | 第90-91页 |
| ·本章小结 | 第91-93页 |
| 第六章 总结与展望 | 第93-97页 |
| ·本文结论 | 第93-94页 |
| ·作展望 | 第94-97页 |
| 参考文献 | 第97-129页 |
| 攻读博士学位期间完成的论文 | 第129-131页 |
| 致谢 | 第131-133页 |
