| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-16页 |
| ·空间辐射环境介绍 | 第9-11页 |
| ·太阳粒子 | 第9页 |
| ·地磁俘获粒子 | 第9-10页 |
| ·银河宇宙射线 | 第10-11页 |
| ·单粒子翻转率预计研究的背景与意义 | 第11-12页 |
| ·在轨翻转率的研究现状及发展趋势 | 第12-14页 |
| ·本文研究内容与结构 | 第14-15页 |
| ·本章小结 | 第15-16页 |
| 第2章 单粒子翻转及复合敏感体模型 | 第16-24页 |
| ·单粒子效应（SEE） | 第16-17页 |
| ·辐射效应 | 第16页 |
| ·线性能量转移（LET） | 第16-17页 |
| ·电荷收集理论与单粒子翻转 | 第17-20页 |
| ·电荷收集理论 | 第17-18页 |
| ·单粒子翻转（SEU）与 SRAM 翻转机制 | 第18-20页 |
| ·电荷共享与多位翻转（MBU） | 第20页 |
| ·复合敏感体模型 | 第20-23页 |
| ·直接离化与间接离化 | 第20-21页 |
| ·RPP 模型 | 第21-22页 |
| ·复合敏感体模型 | 第22-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 第3章 复合敏感体的提取 | 第24-38页 |
| ·Sentuerus TCAD 及混合模拟仿真介绍 | 第24-25页 |
| ·Sentuerus TCAD 工具简介 | 第24页 |
| ·TCAD 混合模拟仿真 | 第24-25页 |
| ·TCAD 器件建模 | 第25-28页 |
| ·NMOS 器件建模及校准 | 第25-27页 |
| ·PMOS 器件建模及校准 | 第27-28页 |
| ·临界电荷的提取 | 第28-32页 |
| ·NMOS 临界电荷的提取 | 第28-30页 |
| ·PMOS 临界电荷的提取 | 第30-32页 |
| ·复合敏感体的提取 | 第32-36页 |
| ·NMOS 复合敏感体的提取 | 第33-34页 |
| ·PMOS 复合敏感体的提取 | 第34-36页 |
| ·本章小结 | 第36-38页 |
| 第4章 基于 Geant4 的 SEU 判断模块的建立 | 第38-47页 |
| ·蒙特卡罗（Monte Carlo）方法与 Geant4 概述 | 第38-40页 |
| ·Monte Carlo 方法简介 | 第38页 |
| ·Geant4 原理与功能模块概述 | 第38-40页 |
| ·探测器结构的建模 | 第40-42页 |
| ·材料定义 | 第40-41页 |
| ·探测器结构 | 第41-42页 |
| ·重离子物理过程 | 第42-44页 |
| ·初级重离子定义 | 第42-43页 |
| ·物理作用过程 | 第43-44页 |
| ·SEU 判断模块的总体实现 | 第44-46页 |
| ·沉积能量收集与 SEU 判断 | 第44-46页 |
| ·事件循环与翻转事件统计 | 第46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第5章 基于 SRAM 的在轨翻转率预计 | 第47-57页 |
| ·重离子翻转截面 | 第47-51页 |
| ·翻转截面（）的计算方法 | 第47-48页 |
| ·不同 LET 重离子入射仿真结果 | 第48-51页 |
| ·拟合曲线 | 第51-52页 |
| ·单粒子在轨翻转率的计算 | 第52-56页 |
| ·重离子环境模型 | 第52-53页 |
| ·粒子入射角度对单粒子翻转的影响 | 第53-54页 |
| ·重离子在轨翻转率预计方法 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第6章 总结 | 第57-59页 |
| ·主要研究结论 | 第57-58页 |
| ·下一步研究方向 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
