基于深刻蚀槽的InP多段耦合腔激光器的研究
| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 目录 | 第10-12页 |
| 1 绪论 | 第12-31页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族半导体材料以及器件制造工艺 | 第12-14页 |
| ·光通信中的半导体激光器 | 第14-28页 |
| ·FP激光器 | 第14-16页 |
| ·单模激光器 | 第16-20页 |
| ·波长可调谐激光器 | 第20-28页 |
| ·本文的目的、内容以及创新点 | 第28-31页 |
| ·本文所希望解决的问题 | 第28页 |
| ·本文的章节安排 | 第28-29页 |
| ·本文的创新点 | 第29-31页 |
| 2 深刻蚀槽耦合腔激光器的制作工艺探索 | 第31-71页 |
| ·光刻 | 第31-35页 |
| ·光刻质量的考察标准 | 第32-33页 |
| ·增强光刻胶与材料粘附性的处理 | 第33-35页 |
| ·刻蚀 | 第35-61页 |
| ·干法刻蚀 | 第35-38页 |
| ·用于InP干法刻蚀的不同掩模材料比较 | 第38-55页 |
| ·深刻蚀窄槽的工艺优化 | 第55-61页 |
| ·湿法腐蚀 | 第61-63页 |
| ·平坦化 | 第63-65页 |
| ·BCB/Su8平坦化 | 第63-64页 |
| ·二氧化硅平坦化 | 第64-65页 |
| ·电极制作 | 第65-68页 |
| ·金属-半导体接触 | 第65-67页 |
| ·电极的溅射与剥离 | 第67-68页 |
| ·磨片 | 第68-69页 |
| ·激光器制作一般流程 | 第69-70页 |
| ·小结 | 第70-71页 |
| 3 深刻蚀槽耦合腔激光器的原理与设计 | 第71-105页 |
| ·固定波长深刻蚀槽耦合腔激光器 | 第71-88页 |
| ·深刻蚀槽对于腔体的影响 | 第73-79页 |
| ·激光器阈值下的模拟 | 第79-88页 |
| ·固定波长深刻蚀槽耦合腔激光器的制作 | 第88-104页 |
| ·器件中的深刻蚀槽与深刻蚀面的制造 | 第88-91页 |
| ·固定波长深刻蚀槽耦合腔激光器的测试 | 第91-104页 |
| ·小结 | 第104-105页 |
| 4 波长可调谐深刻蚀槽耦合腔激光器 | 第105-114页 |
| ·波长可调谐深刻蚀槽耦合腔激光器的原理与设计 | 第105-109页 |
| ·波长可调谐深刻蚀槽耦合腔激光器的测试 | 第109-113页 |
| ·小结 | 第113-114页 |
| 5. 总结以及展望 | 第114-116页 |
| ·总结 | 第114-115页 |
| ·未来工作的展望 | 第115-116页 |
| 作者介绍 | 第116-118页 |
| 参考文献 | 第118-130页 |
