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OTP存储器设计与实现技术研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-9页
第一章 引言第9-16页
   ·课题研究意义及背景第9-11页
   ·国内外发展现状第11-14页
   ·设计指标第14-15页
   ·论文结构第15-16页
第二章 OTP存储单元设计第16-26页
   ·介质击穿机理第16-18页
   ·存储单元设计方案第18-25页
     ·单元结构第18-19页
     ·作模式第19-22页
       ·控制管的作用第19-20页
       ·连接方式第20页
       ·器件类型选择第20-21页
       ·阵列的扩展第21-22页
     ·测试结果第22-25页
   ·本章小结第25-26页
第三章 OTP存储器外围电路构建第26-59页
   ·存储器整体框图第26页
   ·地址译码器第26-29页
   ·地址检测电路第29-32页
     ·电路描述第29-30页
     ·检测信号的后续处理第30-32页
   ·编程电路第32-41页
     ·方波产生电路第32-34页
     ·高压复制电路第34-36页
     ·地址信号和输入数据的控制第36-40页
       ·控制逻辑描述第36-37页
       ·仿真结果第37-40页
     ·器件选择第40-41页
   ·读出电路第41-52页
     ·简单的读出机制第41-42页
     ·位线电容的影响第42-44页
     ·读出结构的改进第44-46页
     ·地址信号的控制第46-52页
       ·逻辑控制描述第46-48页
       ·仿真结果第48-52页
   ·输出使能第52-54页
     ·控制逻辑描述第52-53页
     ·仿真结果第53-54页
   ·片选信号第54-57页
     ·控制逻辑描述第54-55页
     ·仿真结果第55-57页
   ·本章小结第57-59页
第四章 整体版图设计实现第59-73页
   ·版图整体规划第59-63页
     ·整体布局第59-61页
     ·整体布线第61-62页
     ·编程模块的处理第62-63页
   ·版图设计中的关键问题第63-68页
     ·保护环第63-64页
     ·DFM检查第64-66页
       ·天线效应第64页
       ·冗余金属第64-65页
       ·金属SLOT第65页
       ·通孔数量第65-66页
       ·线宽和线间距第66页
     ·电路网表中的器件类型第66页
     ·特殊器件的处理第66-68页
   ·测试点的设置第68-69页
     ·选择测试PAD金属层第68-69页
     ·隔绝寄生电容第69页
     ·预防天线效应第69页
   ·后仿真验证第69-71页
   ·芯片实测第71-72页
   ·本章小结第72-73页
第五章 结论第73-74页
致谢第74-75页
参考文献第75-77页
攻硕期间的研究成果第77页

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