浅槽埋层结构器件设计
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-18页 |
| ·功率整流器和VDMOS的应用 | 第9-11页 |
| ·功率整流器的发展动态 | 第11-14页 |
| ·VDMOS的发展动态 | 第14-16页 |
| ·本文主要工作 | 第16-18页 |
| 第二章 浅槽埋层功率整流器的原理分析 | 第18-33页 |
| ·功率整流器的主要电学参数 | 第18-22页 |
| ·静态电学参数 | 第18-21页 |
| ·动态电学参数 | 第21-22页 |
| ·埋沟MOSFET | 第22-23页 |
| ·衬底偏置效应 | 第23-24页 |
| ·浅槽埋层功率整流器的结构与原理分析 | 第24-32页 |
| ·结构与工作原理 | 第24-28页 |
| ·正向导通压降 | 第28-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 浅槽埋层功率整流器的结构优化与工艺设计 | 第33-57页 |
| ·浅槽埋层功率整流器的各结构尺寸与掺杂浓度优化 | 第33-49页 |
| ·元胞尺寸的选取 | 第34-35页 |
| ·元胞中各部分尺寸和掺杂浓度对器件性能的影响 | 第35-41页 |
| ·器件结构参数优化结果及对应的电学性能分析 | 第41-46页 |
| ·与常规PN结功率整流器性能的比较 | 第46-49页 |
| ·浅槽埋层功率整流器的工艺设计 | 第49-56页 |
| ·元胞工艺方案的选取 | 第49-50页 |
| ·元胞工艺的优化设计 | 第50-55页 |
| ·终端的选取与工艺设计 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第四章 浅槽埋层功率整流器的版图设计与测试分析 | 第57-65页 |
| ·浅槽埋层功率整流器的版图设计 | 第57-60页 |
| ·设计规则 | 第57-58页 |
| ·设计结果 | 第58-60页 |
| ·浅槽埋层功率整流器的测试与分析 | 第60-64页 |
| ·分片条件选取 | 第60-61页 |
| ·测试与分析 | 第61-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 浅槽埋层功率MOSFET | 第65-68页 |
| ·浅槽埋层功率MOSFET的结构和原理 | 第65-66页 |
| ·浅槽埋层功率MOSFET的优化设计 | 第66-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 第六章 结论 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第73页 |
