| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·量子点激光器的材料与量子阱激光器材料 | 第7-8页 |
| ·InAs/GaAs量子点的生长 | 第8-10页 |
| ·相关研究的进展和应用前景 | 第10-12页 |
| ·本章的总结 | 第12-13页 |
| 第二章 量子点的MBE生长特性和PL基本理论 | 第13-21页 |
| ·MBE基本概念和理论 | 第13-17页 |
| ·AFM(原子力显微镜) | 第17-18页 |
| ·PL谱 | 第18-20页 |
| ·小结 | 第20-21页 |
| 第三章 1.3微米InAs量子点的生长 | 第21-31页 |
| ·引言 | 第21-22页 |
| ·1.3μm量子点 | 第22页 |
| ·生长前的准备过程 | 第22-23页 |
| ·1.3微米量子点的生长过程以及参数的影响 | 第23页 |
| ·实验结果及分析 | 第23-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第四章 InAs/GaAs量子点的结构和光学性质 | 第31-41页 |
| ·引言 | 第31-33页 |
| ·InGaAs对InAs/GaAs量子点结构的光学性质影响 | 第33-34页 |
| ·样品的制备 | 第34页 |
| ·实验结果的分析 | 第34-40页 |
| ·本章总结 | 第40-41页 |
| 第五章 结论 | 第41-42页 |
| 致谢 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-46页 |
| 研究生期间以第一作者发表的论文 | 第46页 |