基于磁控溅射技术的掺氢硅薄膜制备及其结构性能研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-18页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·非晶硅材料应用的概况 | 第8-9页 |
| ·非晶硅薄膜的基本性质 | 第9-14页 |
| ·非晶硅薄膜的结构特征 | 第9-11页 |
| ·非晶硅薄膜的光学性能 | 第11-12页 |
| ·非晶硅薄膜的能带结构 | 第12-13页 |
| ·非晶硅薄膜的光致衰退机制及其抑制途径 | 第13-14页 |
| ·非晶硅薄膜的制备方法 | 第14页 |
| ·磁控溅射法制备非晶硅薄膜 | 第14-16页 |
| ·磁控溅射原理和特点 | 第14-15页 |
| ·影响磁控溅射法制备氢化硅薄膜的因素 | 第15-16页 |
| ·本文的研究目的及内容 | 第16-17页 |
| ·本文技术路线 | 第17-18页 |
| 2 薄膜生长的理论基础 | 第18-24页 |
| ·薄膜的生长 | 第18-20页 |
| ·薄膜的晶体结构 | 第20-22页 |
| ·薄膜的晶体结构分析 | 第20-21页 |
| ·晶粒尺寸 | 第21页 |
| ·表面粗糙度 | 第21-22页 |
| ·薄膜的致密度 | 第22页 |
| ·薄膜中的缺陷类型 | 第22-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 3 试验设计方案 | 第24-28页 |
| ·实验靶材 | 第24页 |
| ·实验衬底的预处理 | 第24页 |
| ·实验设备 | 第24-25页 |
| ·薄膜结构的性能表征 | 第25-28页 |
| ·薄膜的结晶取向的分析 | 第25页 |
| ·薄膜的显微组织结构分析 | 第25-26页 |
| ·薄膜的光学性能分析 | 第26页 |
| ·薄膜的电学性能分析 | 第26-28页 |
| 4 直流溅射工艺参数对薄膜结构和性能的影响 | 第28-40页 |
| ·氢气流量对薄膜结构和性能的影响 | 第28-39页 |
| ·薄膜生长速率分析 | 第28-30页 |
| ·XRD衍射分析 | 第30-31页 |
| ·透射电镜分析 | 第31-34页 |
| ·紫外-可见光透过光谱分析 | 第34-37页 |
| ·Ⅰ-Ⅴ特性分析 | 第37-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 5 射频溅射工艺参数对薄膜结构和性能的影响 | 第40-52页 |
| ·溅射功率对薄膜结构和性能的影响 | 第40-44页 |
| ·薄膜生长速率分析 | 第40-41页 |
| ·XRD衍射分析 | 第41-42页 |
| ·透射电镜分析 | 第42页 |
| ·紫外-可见光透过光谱分析 | 第42-44页 |
| ·氢气流量对薄膜结构和性能的影响 | 第44-48页 |
| ·薄膜生长速率分析 | 第44-46页 |
| ·XRD衍射分析 | 第46页 |
| ·透射电镜分析 | 第46-47页 |
| ·紫外-可见光透过光谱分析 | 第47-48页 |
| ·两种电源模式下沉积薄膜的比较 | 第48-52页 |
| 6 结论 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 攻读研究生期间发表的论文 | 第58页 |
