| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| ·硅晶太阳电池工作原理及其对晶体硅材料的要求 | 第8-9页 |
| ·位错缺陷对硅晶体光伏应用性能的影响 | 第9-10页 |
| ·定向凝固多晶硅锭的生产技术 | 第10-11页 |
| ·定向凝固多晶硅锭中的位错的来源及特性 | 第11-12页 |
| ·定向凝固多晶硅锭位错的研究背景及现状 | 第12-15页 |
| ·本论文的研究目的和主要研究内容 | 第15-16页 |
| 第二章 多晶硅片中位错刻蚀显示分析方法的研究 | 第16-26页 |
| ·引言 | 第16-17页 |
| ·实验方法 | 第17-18页 |
| ·实验样品及试剂 | 第17页 |
| ·实验仪器 | 第17页 |
| ·实验过程 | 第17-18页 |
| ·结果与讨论 | 第18-25页 |
| ·抛光液平均腐蚀速率和抛光试样微观形貌 | 第18-20页 |
| ·硅片表面抛光效果 | 第20-21页 |
| ·不同刻蚀液的刻蚀效果比较 | 第21-23页 |
| ·刻蚀时间对刻蚀效果的影响 | 第23页 |
| ·抛光腐蚀深度对刻蚀显示的位错密度的影响 | 第23-24页 |
| ·多晶硅锭位错密度实测应用 | 第24-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 定向凝固生长多晶硅锭中位错特性研究 | 第26-43页 |
| ·引言 | 第26-27页 |
| ·实验方法 | 第27-29页 |
| ·实验样品及试剂 | 第27-28页 |
| ·实验仪器 | 第28页 |
| ·实验过程 | 第28-29页 |
| ·结果与讨论 | 第29-41页 |
| ·多晶硅锭中纵向位错分布特征及密度大小 | 第29-33页 |
| ·多晶硅锭中同一横截面上位错分布特征及密度大小 | 第33-34页 |
| ·多晶硅锭内部硅片中位错分布特性 | 第34-37页 |
| ·多晶硅锭内部硅块中位错分布特性 | 第37-39页 |
| ·多晶硅锭中位错对电学性能的影响 | 第39-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 定向凝固生长准单晶硅锭中硅片位错特性的研究 | 第43-52页 |
| ·引言 | 第43-45页 |
| ·实验方法 | 第45-46页 |
| ·实验样品及试剂 | 第45-46页 |
| ·实验仪器 | 第46页 |
| ·实验过程 | 第46页 |
| ·结果与讨论 | 第46-50页 |
| ·准单晶硅片中位错的分布特征 | 第46-48页 |
| ·准单晶硅片中位错与亚晶界的关系 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 第五章 总结 | 第52-54页 |
| ·主要的研究结论 | 第52-53页 |
| ·本课题的创新之处 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第59页 |