p-Si衬底上生长ZnO薄膜的结构和性能
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-21页 |
| ·课题背景 | 第10-11页 |
| ·ZnO 的特性 | 第11-16页 |
| ·ZnO 的晶体学结构 | 第11-13页 |
| ·ZnO 的光学和电学特性 | 第13-14页 |
| ·ZnO 中的缺陷及对光学电学性质的影响 | 第14-16页 |
| ·ZnO 薄膜的制备方法 | 第16-18页 |
| ·射频反应磁控溅射 | 第16-17页 |
| ·ZnO 的反应磁控溅射制备原理 | 第17页 |
| ·磁控溅射影响ZnO 质量主要因素 | 第17-18页 |
| ·ZnO 薄膜材料的应用 | 第18-20页 |
| ·本文的研究目的与内容 | 第20-21页 |
| ·研究目的 | 第20页 |
| ·主要研究内容 | 第20-21页 |
| 第2章 材料的制备及试验方法 | 第21-27页 |
| ·射频磁控溅射设备 | 第21页 |
| ·磁控溅射方法制备薄膜的实验步骤 | 第21-22页 |
| ·材料的制备 | 第22-23页 |
| ·衬底的清洗 | 第22页 |
| ·ZnO 薄膜制备过程 | 第22-23页 |
| ·试验样品 | 第23-24页 |
| ·试验方法 | 第24-27页 |
| ·X 射线衍射分析 | 第24-25页 |
| ·原子力显微镜分析 | 第25页 |
| ·扫描电镜分析 | 第25页 |
| ·X 射线光电子能谱分析 | 第25页 |
| ·光致发光谱分析 | 第25-26页 |
| ·霍尔效应测试 | 第26-27页 |
| 第3章 ZnO 薄膜的成分和结构分析 | 第27-46页 |
| ·ZnO 薄膜的XPS 测试 | 第27-34页 |
| ·ZnO 膜层的成分 | 第27-29页 |
| ·ZnO 膜层元素的化学价态分析 | 第29-31页 |
| ·生长条件对ZnO 中锌氧比的影响 | 第31-34页 |
| ·生长条件对ZnO 薄膜结晶质量的影响 | 第34-41页 |
| ·O_2:Ar 比值对ZnO 薄膜结晶质量的影响 | 第34-36页 |
| ·工作气压的变化对ZnO 薄膜结晶质量的影响 | 第36-39页 |
| ·衬底温度对ZnO 结晶质量的影响 | 第39-41页 |
| ·ZnO 的表面形貌 | 第41-44页 |
| ·生长条件对生长速率的影响 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第4章 缓冲层对ZnO 薄膜的影响 | 第46-52页 |
| ·缓冲层厚度对ZnO 薄膜结晶质量的影响 | 第46-49页 |
| ·缓冲层厚度对表面形貌的影响 | 第49-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第5章 退火处理对ZnO 薄膜的影响 | 第52-63页 |
| ·退火对ZnO 薄膜结晶质量的影响 | 第52-59页 |
| ·退火温度对形貌的影响 | 第59-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 第6章 ZnO 薄膜的光学和电学性能 | 第63-71页 |
| ·ZnO 薄膜的光致发光特性 | 第63-65页 |
| ·ZnO 薄膜的电学性能 | 第65-70页 |
| ·ZnO 薄膜中的电学缺陷 | 第66页 |
| ·多晶半导体的导电机制 | 第66-68页 |
| ·ZnO 薄膜的霍尔测量结果 | 第68-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 结论 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 附录 | 第76-77页 |
| 哈尔滨工业大学硕士学位论文原创性声明 | 第77页 |
| 哈尔滨工业大学硕士学位论文使用授权书 | 第77页 |
| 哈尔滨工业大学硕士学位论文涉密论文管理 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78页 |
