| 目录 | 第1-3页 |
| 中文摘要 | 第3-5页 |
| 英文摘要 | 第5-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-8页 |
| 参考文献 | 第8-9页 |
| 第二章 文献综述 | 第9-23页 |
| 2．1 前言 | 第9-10页 |
| 2．2 薄膜的形成过程 | 第10-13页 |
| 2．3 薄膜的沉积、成核与生长 | 第13-16页 |
| 2．4 核形成的统计理论 | 第16-22页 |
| 参考文献 | 第22-23页 |
| 第三章 模拟方法与立题依据 | 第23-27页 |
| 3．1 模拟方法简介 | 第23-25页 |
| 3．2 立题的背景与依据 | 第25-26页 |
| 参考文献 | 第26-27页 |
| 第四章 模型与结果 | 第27-47页 |
| 4．1 随机生长模型 | 第27-39页 |
| 4．2 SiGe薄膜生长的初步模拟研究 | 第39-42页 |
| 4．3 SiGe表面Ge偏聚的模拟研究 | 第42-46页 |
| 参考文献 | 第46-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |
| 附录一： 硕士期间发表的文章 | 第48-49页 |
| 附录二： 部分程序界面示意与代码 | 第49-56页 |