超深亚微米MOSFET器件中热载流子效应的研究

摘要	第1-5页
Abstract	第5-7页
目录	第7-9页
第一章 引言	第9-11页
第二章 MOS器件中的热载流子效应	第11-16页
·引言	第11页
·热载流子效应的分类	第11-14页
·衬底热载流子效应	第11-12页
·沟道热载流子效应	第12-14页
·超深亚微米MOS器件中的热载流子效应	第14-16页
第三章 nMOSFET衬底电流模型及模拟	第16-27页
·引言	第16页
·模拟基本方程	第16-18页
·衬底电流分析	第18-21页
·衬底电流模型	第18-20页
·衬底电流的参数	第20-21页
·模拟结果及分析	第21-27页
第四章 nMOSFET器件特性退化模拟	第27-46页
·引言	第27页
·Si-H键断裂描述器件性能退化	第27-32页
·Si-H键断裂模型	第27-30页
·界面态的产生与器件参数退化之间的关系	第30-32页
·MOSFET退化的饱和效应	第32-35页
·热载流子退化的温度特性	第35-38页
·特性退化模拟结果及分析	第38-46页
第五章 主要结论	第46-48页
参考文献	第48-54页
攻读硕士期间发表的论文	第54-55页
致谢	第55页