| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 引言 | 第10-15页 |
| 1 ECR-PECVD设备及薄膜测试分析方法介绍 | 第15-26页 |
| ·ECR-PECVD设备简介 | 第15-18页 |
| ·ECR等离子体产生机理 | 第15-17页 |
| ·腔耦合磁多极ECR等离子体源的结构 | 第17-18页 |
| ·测试分析方法简介 | 第18-26页 |
| ·RAMAN光谱分析 | 第18-19页 |
| ·电子探针:X射线波谱分析 | 第19-20页 |
| ·Langmuir探针测等离子体参数:电子数密度测量 | 第20-23页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第23-24页 |
| ·XRD谱 | 第24页 |
| ·RHEED | 第24-26页 |
| 2 基片基本信息、清洗工艺及阻挡层SiO_x沉积工艺摸索 | 第26-35页 |
| ·基片性能测试分析 | 第26-31页 |
| ·原始样品纯度 | 第26-27页 |
| ·原始样品表面形貌 | 第27-28页 |
| ·原始样品晶粒大小及取向 | 第28-29页 |
| ·原始样品表面粗糙度 | 第29-31页 |
| ·清洗工艺选择 | 第31-32页 |
| ·沉积SiO_x薄膜试验 | 第32-35页 |
| 3 薄膜沉积过程原理及在升级冶金级硅衬底上用ECR-PECVD沉积多晶硅薄膜 | 第35-53页 |
| ·薄膜沉积过程基本原理及在UMG-Si上沉积多晶硅的初步工艺探索 | 第35-41页 |
| ·薄膜沉积过程基本原理 | 第35-40页 |
| ·等离子体产生及气相反应过程 | 第35-36页 |
| ·基团、活性粒子的扩散输运及表面反应过程 | 第36-40页 |
| ·过程动力学 | 第36-38页 |
| ·表面反应热力学 | 第38-40页 |
| ·在升级冶金级硅衬底上用ECR-PECVD沉积多晶硅薄膜初探 | 第40-41页 |
| ·薄膜高压沉积工艺参数摸索 | 第41-48页 |
| ·多晶硅薄膜准外延生长探索 | 第48-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 4 验证试验及可控参数相关规律总结 | 第53-62页 |
| ·可控参数总结及假设提出 | 第53-56页 |
| ·温度、流量比对薄膜质量的影响 | 第56-58页 |
| ·低温条件下，功率与流量比匹配试验 | 第58-59页 |
| ·Langmuir探针测等离子体参数:电子数密度测量 | 第59-62页 |
| 结论 | 第62-63页 |
| 展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
