SILAR法合成ZnO纳米多晶薄膜的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-14页 |
| ·研究背景 | 第9-12页 |
| ·SILAR 法制备半导体薄膜进展 | 第12-13页 |
| ·本文主要内容 | 第13-14页 |
| 2 ZnO 纳米多晶薄膜的基本理论 | 第14-25页 |
| ·ZnO 体结构和特性 | 第14-15页 |
| ·ZnO 薄膜制备方法 | 第15-20页 |
| ·成膜机理 | 第20-22页 |
| ·发光机制 | 第22-25页 |
| 3 SILAR 法制备ZnO 纳米多晶薄膜的工艺 | 第25-35页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·SILAR 法原理 | 第25-28页 |
| ·SILAR 法制备ZnO 多晶薄膜 | 第28-32页 |
| ·ZnO 薄膜表征方法 | 第32-35页 |
| 4 工艺参数对ZnO 薄膜性能影响分析 | 第35-55页 |
| ·ZnO 薄膜的组成和结构分析 | 第35-45页 |
| ·ZnO 薄膜表面形貌分析 | 第45-50页 |
| ·ZnO 薄膜光学性能分析 | 第50-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 5 SILAR 法制备ZnO 薄膜机理探讨 | 第55-66页 |
| ·表面亲水性影响 | 第55-56页 |
| ·表面吸附 | 第56-59页 |
| ·反应体系 | 第59-61页 |
| ·ZnO 晶形演变 | 第61-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 6 总结与展望 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-74页 |
| 附录:攻读硕士期间申请的专利 | 第74页 |