| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-23页 |
| ·研究背景 | 第10-17页 |
| ·研究进展 | 第17-20页 |
| ·研究方法 | 第20-21页 |
| ·论文的结构安排 | 第21-23页 |
| 2 理论基础 | 第23-38页 |
| ·量子力学中的表象理论：非正交基 | 第23-27页 |
| ·电子与声学声子之间的相互作用 | 第27-33页 |
| ·有效质量理论：硅中的杂质态 | 第33-38页 |
| 3 声学声子辅助的硅基杂质电子自旋量子比特的量子控制 | 第38-57页 |
| ·引言 | 第38-39页 |
| ·声学声子辅助的杂质电子自旋量子比特的输运 | 第39-40页 |
| ·杂质-Si/Si0_2 界面体系中电子的哈密顿 | 第40-44页 |
| ·电子-声学声子相互作用哈密顿 | 第44-48页 |
| ·电子与纵、横声学声子的相互作用哈密顿 | 第44-45页 |
| ·电子与界面声学声子的相互作用哈密顿 | 第45-48页 |
| ·输运时间 | 第48-49页 |
| ·结果与讨论 | 第49-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 4 能谷的干涉对声学声子辅助的杂质电子自旋量子比特的量子控制的影响 | 第57-72页 |
| ·引言 | 第57-58页 |
| ·能谷的干涉对杂质电子哈密顿的影响 | 第58-60页 |
| ·输运时间 | 第60-61页 |
| ·结果与讨论 | 第61-70页 |
| ·本章小结 | 第70-72页 |
| 5 屏蔽效应对声学声子辅助的杂质电子自旋量子比特的量子控制的影响 | 第72-88页 |
| ·引言 | 第72-73页 |
| ·Metal/Si0_2/Si 三层结构的硅中电子的哈密顿 | 第73-77页 |
| ·杂质和电子引起的像势能 | 第73-76页 |
| ·Metal/Si0_2/Si 三层结构的硅中电子的哈密顿 | 第76-77页 |
| ·输运时间 | 第77页 |
| ·结果与讨论 | 第77-87页 |
| ·本章小结 | 第87-88页 |
| 6 总结与展望 | 第88-90页 |
| 参考文献 | 第90-100页 |
| 致谢 | 第100-101页 |
| 攻读学位期间取得的科研成果清单 | 第101页 |
