ECR-PECVD法低温沉积Poly-Si薄膜的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 引言 | 第9-10页 |
| 1 Poly-Si薄膜的主要应用 | 第10-12页 |
| ·Poly-Si太阳能电池 | 第10-11页 |
| ·Poly-Si薄膜晶体管 | 第11页 |
| ·Poly-Si薄膜在传感领域内的应用 | 第11-12页 |
| 2 Poly-Si薄膜的成核理论和影响因素 | 第12-20页 |
| ·薄膜的成核理论 | 第12-16页 |
| ·薄膜的生长模式 | 第16-17页 |
| ·核生长模式 | 第16页 |
| ·层状生长模式 | 第16页 |
| ·层核生长模式 | 第16-17页 |
| ·影响Poly-Si薄膜结构和成核的因素 | 第17-19页 |
| ·沉积速率 | 第17-18页 |
| ·衬底温度 | 第18页 |
| ·沉积原子的动能 | 第18页 |
| ·衬底结构 | 第18-19页 |
| ·反应室真空度 | 第19页 |
| ·小结 | 第19-20页 |
| 3 材料的制备方法和分析技术 | 第20-38页 |
| ·直接接沉积Poly-Si薄膜 | 第20-23页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积法 | 第20-22页 |
| ·热丝化学气相沉积法 | 第22-23页 |
| ·低压化学气相沉积法(LPCVD) | 第23页 |
| ·液相外延法(LPE) | 第23页 |
| ·间接沉积Poly-Si薄膜 | 第23-27页 |
| ·固相晶化法(SPC) | 第24页 |
| ·部分掺杂法 | 第24-25页 |
| ·快速退火法(RTA) | 第25页 |
| ·金属诱导固相晶化法(MISPC) | 第25-26页 |
| ·激光晶化法(LIC) | 第26-27页 |
| ·Poly-Si薄膜的表征 | 第27-36页 |
| ·扫描电镜(SEM) | 第28-30页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第30-31页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第31-32页 |
| ·反射高能电子衍射(RHEED) | 第32-34页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第34-35页 |
| ·拉曼光谱(Raman) | 第35-36页 |
| ·小结 | 第36-38页 |
| 4 实验方法 | 第38-43页 |
| ·ECR低温等离子体源的产生原理 | 第38-39页 |
| ·ECR-PECVD系统(ESPD) | 第39-41页 |
| ·样品的制备 | 第41-43页 |
| ·衬底准备 | 第41页 |
| ·实验设计 | 第41-42页 |
| ·实验步骤 | 第42-43页 |
| 5 实验结果及讨论 | 第43-58页 |
| ·在硅衬底上沉积Poly-Si薄膜 | 第43-45页 |
| ·H_2流量对Poly-Si薄膜的影响 | 第43-44页 |
| ·SiH_4流量对Poly-Si薄膜的影响 | 第44-45页 |
| ·温度对Poly-Si薄膜晶化的影响 | 第45页 |
| ·在玻璃衬底上沉积Poly-Si薄膜 | 第45-57页 |
| ·直接在玻璃衬底上沉积Poly-Si薄膜 | 第46-47页 |
| ·中间层的作用 | 第47-49页 |
| ·中间层沉积温度对后续Poly-Si薄膜的影响 | 第49-54页 |
| ·中间层H_2流量对后续Poly-Si薄膜的影响 | 第54-56页 |
| ·中间层功率对后续Poly-Si薄膜的影响 | 第56-57页 |
| ·小结 | 第57-58页 |
| 结论 | 第58-64页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
