| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-13页 |
| 前言 | 第13-14页 |
| 1 文献综述 | 第14-23页 |
| ·化工过程模拟 | 第14-17页 |
| ·化工过程模拟方法 | 第14-15页 |
| ·化学反应过程的模拟方法 | 第15-17页 |
| ·化工过程优化 | 第17-18页 |
| ·最优化方法的分类 | 第17页 |
| ·序贯二次规划法(SQP) | 第17-18页 |
| ·化工过程能量耦合的研究 | 第18-21页 |
| ·化学反应过程的能量耦合 | 第18-20页 |
| ·分离过程节能 | 第20-21页 |
| ·反应过程的模拟分析 | 第21页 |
| ·本文主要研究内容 | 第21-23页 |
| 2 数学模型 | 第23-26页 |
| ·化学反应体系平衡组成的计算 | 第23-24页 |
| ·化学反应过程的能量耦合模型 | 第24-26页 |
| ·能量耦合模型 | 第24页 |
| ·设计变量和能量耦合工艺 | 第24-26页 |
| 3 甲烷部分氧化制合成气过程能量耦合工艺的优化设计 | 第26-36页 |
| ·引言 | 第26-27页 |
| ·过程反应分析 | 第27-28页 |
| ·设计变量和能量耦合工艺 | 第28-29页 |
| ·工艺条件对体系能量耦合的影响 | 第29-35页 |
| ·进料温度的影响 | 第29-30页 |
| ·进料压力的影响 | 第30页 |
| ·原料气组成 | 第30-33页 |
| ·积炭与消炭分析 | 第33-34页 |
| ·与实际反应器结果对比 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 4 SIHCL_3 法生产多晶硅闭环工艺的优化设计 | 第36-75页 |
| ·引言 | 第36-38页 |
| ·我国多晶硅技术的研究现状 | 第36-37页 |
| ·世界和中国多晶硅技术的比较 | 第37页 |
| ·主要的多晶硅生产技术 | 第37-38页 |
| ·本章研究内容 | 第38页 |
| ·SIHCL_3 还原生产多晶硅子系统 | 第38-53页 |
| ·SiHCl_3 还原生产多晶硅 | 第38-43页 |
| ·SiHCl_3 还原能量耦合新工艺 | 第43-47页 |
| ·无SiCl_4 生成的SiHCl_3 还原新工艺 | 第47-49页 |
| ·无SiCl_4 生成的SiHCl_3 还原能量耦合新工艺 | 第49-53页 |
| ·SIHCL_3 合成子系统 | 第53-59页 |
| ·SiHCl_3 合成反应 | 第53-57页 |
| ·无SiCl_4 生成的SiHCl_3 合成新工艺 | 第57-59页 |
| ·SICL4 转化反应 | 第59-62页 |
| ·温度和进料比例的影响 | 第60-61页 |
| ·压力和进料比例的影响 | 第61-62页 |
| ·SIHCL_3 法生产多晶硅闭环工艺 | 第62-72页 |
| ·SiHCl_3 法生产多晶硅流程现状 | 第62-64页 |
| ·SiHCl_3 法生产多晶硅闭环工艺的改进 | 第64-67页 |
| ·无SiCl_4 生成的SiHCl_3 法生产多晶硅闭环新工艺 | 第67-68页 |
| ·超高温下SiCl_4 法生产液态多晶硅新工艺 | 第68-72页 |
| ·本章小结 | 第72-75页 |
| 5 结论及创新点 | 第75-83页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第83-84页 |
| 致谢 | 第84页 |
