射频磁控反应溅射法制备HfO2薄膜的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 文献综述 | 第10-24页 |
| ·研究背景 | 第10-12页 |
| ·金刚石的氧化现象与机理 | 第12-15页 |
| ·金刚石红外增透与高温抗氧化保护 | 第15-19页 |
| ·金刚石红外增透方法 | 第15-16页 |
| ·金刚石的高温抗氧化保护 | 第16-19页 |
| ·氧化铪薄膜的制备方法 | 第19-20页 |
| ·氧化铪薄膜的基本性质 | 第20-23页 |
| ·氧化铪的晶体结构 | 第20-21页 |
| ·氧化铪的光学性能 | 第21页 |
| ·氧化铪的高温抗氧化性能 | 第21-22页 |
| ·氧化铪的电学性质及应用 | 第22-23页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第23-24页 |
| 第二章 膜系设计和分析 | 第24-38页 |
| ·膜系设计的基本理论 | 第24-29页 |
| ·膜系设计的一般原理 | 第24-26页 |
| ·膜系评价函数 | 第26页 |
| ·优化方法 | 第26-28页 |
| ·增透保护膜系设计 | 第28-29页 |
| ·金刚石衬底上增透保护膜系的设计与分析 | 第29-37页 |
| ·HfO_2增透保护膜系的设计 | 第29-33页 |
| ·膜系敏感因子分析 | 第33-35页 |
| ·膜系结构偏差分析 | 第35-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 实验原理与方法 | 第38-54页 |
| ·实验原理 | 第38-42页 |
| ·薄膜沉积原理 | 第38-39页 |
| ·磁控溅射 | 第39-40页 |
| ·射频溅射 | 第40-41页 |
| ·反应溅射 | 第41-42页 |
| ·实验装置 | 第42-43页 |
| ·工艺参数的选择 | 第43-44页 |
| ·射频功率 | 第43-44页 |
| ·溅射气压 | 第44页 |
| ·气体流量 | 第44页 |
| ·衬底温度 | 第44页 |
| ·工艺流程 | 第44-45页 |
| ·薄膜的分析检测 | 第45-53页 |
| ·红外光学性能测量 | 第45-46页 |
| ·折射系数n与厚度d的测定 | 第46-50页 |
| ·薄膜成分分析 | 第50-51页 |
| ·薄膜结构分析 | 第51-52页 |
| ·薄膜表面形貌分析 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第四章 实验结果与分析 | 第54-73页 |
| ·基本工艺参数对沉积速率的影响规律 | 第54-57页 |
| ·射频功率对薄膜沉积速率的影响 | 第54-55页 |
| ·溅射气压对薄膜沉积速率的影响 | 第55-56页 |
| ·O_2/Ar流量比对薄膜沉积速率的影响 | 第56页 |
| ·衬底温度对薄膜沉积速率的影响 | 第56-57页 |
| ·正交试验 | 第57-59页 |
| ·薄膜形貌 | 第59-60页 |
| ·薄膜的成分 | 第60-65页 |
| ·XPS成分分析 | 第60-63页 |
| ·横断面成分分析 | 第63-65页 |
| ·薄膜的晶体结构 | 第65-69页 |
| ·沉积态薄膜的晶体结构 | 第65-67页 |
| ·热处理对晶体结构的影响 | 第67-69页 |
| ·薄膜的光学常数 | 第69-71页 |
| ·本章小结 | 第71-73页 |
| 结论 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-79页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第79-80页 |
| 参加的科研项目 | 第79页 |
| 发表的论文 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
