| 绪论 | 第1-35页 |
| §1 GaN 外延膜 | 第12-22页 |
| ·GaN 半导体材料的发展历史 | 第13-14页 |
| ·GaN 半导体材料的性质 | 第14-17页 |
| ·GaN 外延膜的制备方法 | 第17-19页 |
| ·GaN 基材料的应用前景 | 第19-20页 |
| ·研究目的和意义 | 第20-22页 |
| §2 InAs 量子点 | 第22-32页 |
| ·量子点的制备方法 | 第23-27页 |
| ·In(Ga)As 量子点激光器 | 第27-30页 |
| ·研究目的和意义 | 第30-32页 |
| 参考文献 | 第32-35页 |
| 第一部分 III-V 族化合物半导体材料 GaN 外延膜的制备及光学特性研究 | 第35-72页 |
| 第一章 GaN 外延膜表面形貌及光学特性研究 | 第36-49页 |
| ·GaN 外延膜的制备及测试条件 | 第36-38页 |
| ·GaN 外延膜的制备 | 第36-37页 |
| ·测试方法及其条件 | 第37-38页 |
| ·生长速度对 GaN 外延膜表面形貌及光学性能的影响 | 第38-40页 |
| ·氧杂质对 GaN 外延膜表面形貌及光学性能的影响 | 第40-41页 |
| ·AlN 缓冲层对 GaN 外延膜表面形貌及光学性能的影响 | 第41-43页 |
| ·光致发光特性和表面形貌之间的关系 | 第43-46页 |
| 本章小结 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-49页 |
| 第二章 GaN 外延膜的发光机制研究 | 第49-56页 |
| ·发光机制简介 | 第49-51页 |
| ·带边跃迁发光 | 第49页 |
| ·激子复合发光 | 第49-50页 |
| ·由缺陷或杂质引起的跃迁 | 第50-51页 |
| ·GaN 外延膜发光机制研究 | 第51-54页 |
| 本章小结 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-56页 |
| 第三章 低 Al 掺杂对 GaN 表面形貌及光电性能的影响 | 第56-70页 |
| ·Ga(Al)N 薄膜的制备及测试条件 | 第56-59页 |
| ·3.1.1 Ga(Al)N 薄膜的制备 | 第56-59页 |
| ·测试方法及其条件 | 第59页 |
| ·Al 掺杂对 Ga(Al)N 薄膜表面形貌的影响 | 第59-61页 |
| ·Al 掺杂对 Ga(Al)N 薄膜光学性能的影响 | 第61-66页 |
| ·Ga(Al)N 薄膜发光机制研究 | 第61-62页 |
| ·不同 Al 掺杂量对 Ga(Al)N 薄膜发光性能的影响 | 第62-66页 |
| ·Al 掺杂对 Ga(Al)N 薄膜电学性能的影响 | 第66-68页 |
| 本章小结 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-70页 |
| 第四章 结论 | 第70-72页 |
| 第二部分 III-V 族化合物半导体材料 InAs 量子点的制备及光学特性研究 | 第72-119页 |
| 第一章 InAs 量子点的制备及发光特性研究 | 第73-84页 |
| ·InAs 量子点的制备及测试条件 | 第73-74页 |
| ·样品制备 | 第73-74页 |
| ·测试条件 | 第74页 |
| ·生长条件对 InAs 量子点光学性能的影响 | 第74-78页 |
| ·生长条件对 InAs 量子点光学性能的影响 | 第74-77页 |
| ·优化生长条件下 InAs 量子点的表面形貌及发光性能 | 第77-78页 |
| ·In_xGa_(1-x)As 盖层对 InAs 量子点表面形貌和发光性能的影响 | 第78-82页 |
| ·In_xGa_(1-x)As 盖层对 InAs 量子点光学性能的影响 | 第78-80页 |
| ·In_xGa_(1-x)As 盖层对 InAs 量子点表面形貌的影响 | 第80-82页 |
| 本章小结 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-84页 |
| 第二章 In_xGa_(1-x)As 盖层 InAs 量子点发光性能的研究 | 第84-97页 |
| ·In_xGa_(1-x)As 盖层 InAs 量子点的制备及测试条件 | 第85-86页 |
| ·样品制备 | 第85-86页 |
| ·测试条件 | 第86页 |
| ·In_xGa_(1-x)As 盖层 InAs 量子点光学特性研究 | 第86-93页 |
| ·In_xGa_(1-x)As 盖层对 InAs 量子点光学性能的影响 | 第86-87页 |
| ·氢等离子体处理对In_(0.4)Ga_(0.6)As 盖层InAs 量子点光学性能的影响 | 第87-93页 |
| ·估算 In_xGa_(1-x)As 盖层InAs 量子点无辐射中心浓度 | 第93-94页 |
| 本章小结 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第95-97页 |
| 第三章 In_xAl_(1-x)As 隧道阻挡层对 InAs 量子点发光性能的影响 | 第97-107页 |
| ·InAs 量子点的制备及测试条件 | 第97-98页 |
| ·样品制备 | 第97-98页 |
| ·测试条件 | 第98页 |
| ·In_xAl_(1-x)As 隧道阻挡层对 InAs 量子点发光性能的影响 | 第98-105页 |
| ·In_xAl_(1-x)As 隧道阻挡层的引入 | 第98-99页 |
| ·In_xAl_(1-x)As 隧道阻挡层对 InAs 量子点发光性能的影响 | 第99-102页 |
| ·In_xAl_(1-x)As 隧道阻挡层影响发光性能的理论分析 | 第102-105页 |
| 本章小结 | 第105-106页 |
| 参考文献 | 第106-107页 |
| 第四章 Al 掺杂对 InAs 量子点结构及发光性能的影响 | 第107-118页 |
| ·样品的制备及测试条件 | 第107-109页 |
| ·样品制备 | 第107-108页 |
| ·测试条件 | 第108-109页 |
| ·In_(0.1) Al_xGa_(0.9-x)As 缓冲层中铝含量变化对量子点结构的影响 | 第109-112页 |
| ·In_(0.1)Al_xGa_(0.9-x)As 缓冲层中铝含量变化对量子点结构的影响 | 第109-110页 |
| ·以 In_(0.1)Al_xGa_(0.9-x)As 为缓冲层的 InAs 量子点的成核机制 | 第110-112页 |
| ·铝含量变化对量子点发光性能的影响 | 第112-116页 |
| ·In_(0.1)Al_xGa_(0.9-x)As 缓冲层中铝含量变化对量子点发光性能的影响 | 第112-113页 |
| ·不同厚度 In_(0.2)Al_(0 .8) A s 盖层对量子点发光性能的影响 | 第113-116页 |
| 本章小结 | 第116-117页 |
| 参考文献 | 第117-118页 |
| 第五章 结论 | 第118-119页 |
| 论文摘要(中文) | 第119-124页 |
| 论文摘要(英文) | 第124-131页 |
| 攻读博士期间发表及待发表的论文 | 第131-134页 |
| 致谢 | 第134页 |
