| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·自发磁化与交换作用 | 第10-11页 |
| ·海森伯(Heisenberg)局域电子直接交换作用 | 第10页 |
| ·RKKY 交换作用(金属中的间接交换作用) | 第10页 |
| ·巡游电子交换作用 | 第10-11页 |
| ·超交换作用、双交换作用等局域电子交换作用 | 第11页 |
| ·磁各向异性 | 第11-13页 |
| ·磁晶各向异性 | 第11-12页 |
| ·感生各向异性和磁弹性各向异性 | 第12页 |
| ·表(界)面各向异性 | 第12-13页 |
| ·形状各向异性 | 第13-15页 |
| ·退磁场 | 第13-14页 |
| ·退磁场能 | 第14页 |
| ·形状各向异性 | 第14-15页 |
| ·自旋材料 | 第15-18页 |
| ·半金属材料的能带 | 第15-16页 |
| ·Fe_3O_4 晶格结构 | 第16-17页 |
| ·Fe_3O_4 的 Wervey 低温相变 | 第17-18页 |
| ·本论文的工作 | 第18-19页 |
| 参考文献 | 第19-20页 |
| 第二章 基本实验方法及测量原理 | 第20-28页 |
| ·薄膜的制备 | 第20-22页 |
| ·薄膜生长过程 | 第20页 |
| ·分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,简称 MBE)生长单晶薄膜 | 第20-21页 |
| ·分子束外延(MBE)生长腔 | 第21-22页 |
| ·结构的表征: | 第22-24页 |
| ·高能电子衍射(RHEED)原理 | 第22-23页 |
| ·X 射线衍射 | 第23-24页 |
| ·物性测量 | 第24-27页 |
| ·振动样品磁强计(VSM)和 SQUID 磁强计 | 第24-25页 |
| ·铁磁共振(FMR) | 第25-26页 |
| ·四探针法测电阻 | 第26-27页 |
| 参考文献 | 第27-28页 |
| 第三章 Fe_3O_4薄膜的制备,结构表征和磁性研究 | 第28-40页 |
| ·GaAs(100)衬底上 Fe_3O_4 薄膜的制备 | 第28-30页 |
| ·外延结构分析 | 第30-31页 |
| ·X 射线衍射的结构分析(XRD) | 第31-32页 |
| ·Fe_3O_4 薄膜各向异性的厚度依赖性 | 第32-35页 |
| ·样品的常温下的磁矩的研究 | 第35-36页 |
| ·Fe_3O_4 薄膜电阻随温度变化的研究 | 第36-38页 |
| ·样品的电阻随温度变化的测量结果 | 第36-38页 |
| 本章小结 | 第38-39页 |
| 参考文献 | 第39-40页 |
| 第四章 单晶(超)薄膜铁磁共振线宽的实验研究 | 第40-52页 |
| ·铁磁共振线宽的表达式 | 第40-45页 |
| ·铁磁共振内秉线宽表达式 | 第40-43页 |
| ·磁性弛豫的几种机制 | 第43-45页 |
| ·单晶超薄膜 Fe/GaAs 的铁磁共振线宽研究 | 第45-50页 |
| ·样品制备和测量 | 第45-46页 |
| ·铁磁共振线宽的实验结果 | 第46页 |
| ·拟合公式的推导 | 第46-48页 |
| ·实验数据的拟合与讨论 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-52页 |
| 第五章 单晶 Fe_3O_4薄膜铁磁共振的实验研究 | 第52-63页 |
| ·单晶薄膜铁磁共振共振场的研究 | 第52-59页 |
| ·铁磁共振测量结果 | 第52-54页 |
| ·2 理论拟合的表达式 | 第54-58页 |
| ·实验数据的拟合与讨论 | 第58-59页 |
| ·Fe_3O_4 单晶薄膜铁磁共振线宽的研究 | 第59-61页 |
| ·铁磁共振线宽相关的理论表达式 | 第59-60页 |
| ·实验数据的拟合与讨论 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-63页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
