| 第一章 绪论 | 第1-24页 |
| ·GaN基材料的研究目的和意义 | 第9-10页 |
| ·GaN材料的基本特性 | 第10-13页 |
| ·GaN的基本性质 | 第10-12页 |
| ·GaN的化学特性 | 第12页 |
| ·GaN的电学特性 | 第12-13页 |
| ·GaN基材料的研究进展 | 第13-17页 |
| ·GaN材料的生长 | 第13-15页 |
| ·GaN基材料器件的研究 | 第15-17页 |
| ·GaN基薄膜材料的质量表征 | 第17-22页 |
| ·透射电子显微术(TEM) | 第17页 |
| ·Raman光谱技术(RS)和光致发光技术(PL) | 第17-18页 |
| ·X射线衍射技术 | 第18-22页 |
| ·目前研究中存在的问题及本论文的主要任务 | 第22-24页 |
| ·存在的问题 | 第22-23页 |
| ·本论文的工作 | 第23-24页 |
| 第二章 材料及实验方法 | 第24-32页 |
| ·试样制备 | 第24-25页 |
| ·晶体结构分析 | 第25-31页 |
| ·高分辨X射线衍射仪介绍 | 第25-26页 |
| ·测量过程中采用的几种光路模式 | 第26-28页 |
| ·衍射仪的物理操作过程 | 第28-29页 |
| ·衍射仪常用的技术方式 | 第29页 |
| ·实验参数的选择 | 第29-31页 |
| ·光致发光性能的研究 | 第31-32页 |
| 第三章 GaN薄膜材料的晶体结构和位错密度 | 第32-61页 |
| ·引言 | 第32页 |
| ·直射模式下确定样品的相组成 | 第32-35页 |
| ·高强模式下确定样品的取向偏差及晶格常数 | 第35-44页 |
| ·外延材料的X射线取向测试理论 | 第36-38页 |
| ·测量结果与分析 | 第38-44页 |
| ·三轴晶模式下确定样品的晶粒尺寸、非均匀应变、位错密度、晶体结构及外延片的弯曲半径和应力 | 第44-58页 |
| ·样品对称面扫描确定其半高宽、晶粒尺寸及非均匀应变 | 第44-48页 |
| ·与衬底表面不平行晶面的倾斜对称和非对称衍射确定样品的位错密度 | 第48-52页 |
| ·样品φ扫描确定其晶体结构 | 第52-56页 |
| ·外延片的弯曲半径和应力 | 第56-58页 |
| ·样品的光致发光性能与位错密度 | 第58-60页 |
| ·小结 | 第60-61页 |
| 第四章 结论 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
