| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 1 绪论 | 第7-23页 |
| ·半导体器件模拟的概念及背景 | 第7页 |
| ·半导体器件模拟的分类及方法 | 第7-8页 |
| ·Monte Carlo 微粒模拟法 | 第8-13页 |
| ·Monte Carlo 微粒模拟法发展情况及研究现状 | 第8-11页 |
| ·Monte Carlo 微粒模拟法概述及特点 | 第11-13页 |
| ·采用Monte Carlo 微粒法模拟n 型GaAs 材料负微分迁移率特性 | 第13页 |
| ·半导体器件模拟的物理基础 | 第13-15页 |
| ·载流子浓度 | 第13-14页 |
| ·载流子迁移率 | 第14页 |
| ·电流密度方程 | 第14页 |
| ·连续性方程 | 第14-15页 |
| ·Poisson 方程 | 第15页 |
| ·与基本半导体方程组相关物理参数 | 第15-19页 |
| ·载流子迁移率模型 | 第15-17页 |
| ·载流子产生-复合模型 | 第17-19页 |
| ·漂移扩散理论模型 | 第19页 |
| ·半导体基本方程的求解问题 | 第19-22页 |
| ·基本方程组因变量的选取 | 第20-21页 |
| ·基本方程的归一化 | 第21页 |
| ·基本方程的定义域及边界条件 | 第21-22页 |
| ·基本方程的离散 | 第22页 |
| ·本文的主要工作 | 第22-23页 |
| 2 转移电子效应 | 第23-33页 |
| ·GaAs 材料的负微分电导率特性 | 第23-26页 |
| ·半导体能带结构 | 第26-27页 |
| ·散射过程和电子分布 | 第27-30页 |
| ·漂移速度-电场特性 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-33页 |
| 3 n 型GaAs 材料负微分迁移率特性数学模型的建立 | 第33-47页 |
| ·GaAs 材料的能带结构 | 第33页 |
| ·GaAs 材料的散射机制 | 第33-35页 |
| ·Γ能带散射机制的模型 | 第34-35页 |
| ·X 能带散射机制的模型 | 第35页 |
| ·Monte Carlo 粒子模拟的基本思路 | 第35-38页 |
| ·粒子模拟法程序具体实现过程 | 第38-45页 |
| ·电场调节步长 | 第38页 |
| ·随机自由飞行时间的计算 | 第38-41页 |
| ·k 空间，r 空间中电子位置的确定 | 第41-42页 |
| ·粒子的散射机制和散射角度的抽样 | 第42-44页 |
| ·电势Ψ及电场强度E 的计算 | 第44页 |
| ·电子的起始能量分布 | 第44-45页 |
| ·电子平均漂移速度的计算 | 第45页 |
| ·粒子模拟过程与主要程序结构 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 4 模拟结果与讨论 | 第47-51页 |
| ·GaAs 材料负微分迁移率特性 | 第47-48页 |
| ·能带中的散射百分率与电场的关系 | 第48-49页 |
| ·GaAs 材料中电子平均漂移速度特性与温度的关系 | 第49-50页 |
| ·电子平均漂移速度和自由飞行时间之间的关系 | 第50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 5 结论与展望 | 第51-52页 |
| ·结论 | 第51页 |
| ·展望 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |
| 附录 | 第55页 |
