| 第一章 绪论 | 第1-12页 |
| ·GaN 基 HEMT 的优势和应用前景 | 第7-9页 |
| ·GaN 基 HEMT 面临的问题和研究进展 | 第9-11页 |
| ·论文研究的主要内容 | 第11-12页 |
| 第二章 AlGaN/GaN 异质结的基本特性 | 第12-20页 |
| ·自发极化效应 | 第12-13页 |
| ·压电极化 | 第13-15页 |
| ·极化效应对能带图的影响 | 第15-17页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结2DEG 来源 | 第17-20页 |
| 第三章 材料生长与器件制备 | 第20-31页 |
| ·外延生长AlGaN/GaN 异质结 | 第20-24页 |
| ·异质外延生长技术 | 第20-22页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结生长 | 第22-24页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 制作工艺 | 第24-29页 |
| ·台面隔离 | 第24-25页 |
| ·欧姆接触 | 第25-27页 |
| ·肖特基接触 | 第27-29页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件性能 | 第29-31页 |
| 第四章 AlGaN/GaN HEMT 电流崩塌效应 | 第31-42页 |
| ·电流崩塌现象 | 第31-34页 |
| ·电流崩塌成因 | 第34-36页 |
| ·电流崩塌机理 | 第36-39页 |
| ·栅源间隔区表面态 | 第39-42页 |
| 结论 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |
| 在学期间取得的研究成果 | 第48页 |